GD200TLQ120L3S,IGBT Module,3-niveau,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C

@ T C = 100o C

339

200

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p = 1ms

400

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C

1456

W

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

I F

Diode continue voorwaartscur huur

75

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p = 1ms

150

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

650

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C

@ T C = 95 o C

158

100

Een

I CM

Pulsed Collectorstroom t p = 1ms

200

Een

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C

441

W

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

650

V

I F

Diode continue voorwaartscur huur

100

Een

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p = 1ms

200

Een

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =25 o C

1.40

1.85

V

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =125 o C

1.65

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =150 o C

1.70

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

3.8

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.58

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

1.56

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

142

n

t r

Opstijgtijd

25

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

352

n

t f

Ouderdom

33

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.21

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.90

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

155

n

t r

Opstijgtijd

29

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

440

n

t f

Ouderdom

61

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.02

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

5.83

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 100A, R G = 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

n

t r

Opstijgtijd

30

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

462

n

t f

Ouderdom

66

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.24

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

6.49

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F =75A,V GE =0V,T j =25 o C

1.70

2.15

V

I F =75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

I F =75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C

8.7

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

122

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

2.91

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 125o C

17.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

143

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

5.72

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 150o C

19.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

152

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

6.30

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =25 o C

1.45

1.90

V

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =125 o C

1.60

I C = 100A,V GE = 15 V, T j =150 o C

1.70

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25 o C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

2.0

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.23

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

0.69

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V GE =±15V, T j =25 o C

44

n

t r

Opstijgtijd

20

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

200

n

t f

Ouderdom

28

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.48

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

2.48

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

48

n

t r

Opstijgtijd

24

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

216

n

t f

Ouderdom

40

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.24

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.28

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C = 100A, R G = 3,3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

52

n

t r

Opstijgtijd

24

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

224

n

t f

Ouderdom

48

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.64

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.68

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤6μs,V GE = 15 V,

T j =150 o C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

500

Een

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F = 100A,V GE =0V,T j =25 o C

1.55

2.00

V

I F = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

I F = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C

3.57

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

99

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.04

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 125o C

6.49

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

110

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.70

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 150o C

7.04

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

110

Een

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.81

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

δR/R

Afwijking van R 100

T C = 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Verbinding Junction-to-Case (per D1,D4 Dio de)

Verbinding Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT)

Aansluiting-tot-Gevel (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T1,T4 IGBT)

Gevel-tot-Koeling (per D1,D4 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T2,T3 IGBT)

Gevel-tot-Koeling (per D2,D3 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Bevestigingskracht Per Klem

40

80

N

G

Gewicht van Module

39

g