GD200TLQ120L3S,IGBT Module,3-niveau,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C= 100o C

339

200

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p = 1ms

400

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

1456

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

75

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p = 1ms

150

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

650

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C

@ T C=95o C

158

100

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p = 1ms

200

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T j =175o C

441

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

650

V

IF

Diode continue voorwaartscur huur

100

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p = 1ms

200

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC= 100A,V GE = 15 V, T j =25o C

1.40

1.85

V

IC= 100A,V GE = 15 V, T j =125o C

1.65

IC= 100A,V GE = 15 V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=5.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

3.8

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

20.7

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.58

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

1.56

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25o C

142

n

t r

Opstijgtijd

25

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

352

n

t f

Ouderdom

33

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.21

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.90

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

155

n

t r

Opstijgtijd

29

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

440

n

t f

Ouderdom

61

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.02

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

5.83

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 100A, R G= 1. 1Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

161

n

t r

Opstijgtijd

30

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

462

n

t f

Ouderdom

66

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.24

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

6.49

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

800

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF =75A,V GE =0V,T j =25o C

1.70

2.15

V

IF =75A,V GE =0V,T j = 125o C

1.65

IF =75A,V GE =0V,T j = 150o C

1.65

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

8.7

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

122

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

2.91

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

17.2

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

143

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

5.72

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

19.4

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

152

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

6.30

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC= 100A,V GE = 15 V, T j =25o C

1.45

1.90

V

IC= 100A,V GE = 15 V, T j =125o C

1.60

IC= 100A,V GE = 15 V, T j =150o C

1.70

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC= 1.60mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.5

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

2.0

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz,

V GE =0V

11.6

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.23

nF

V G

Gate-lading

V GE =- 15...+15V

0.69

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 100A, R G= 3,3Ω,V GE =±15V, T j =25o C

44

n

t r

Opstijgtijd

20

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

200

n

t f

Ouderdom

28

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.48

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

2.48

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 100A, R G= 3,3Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

48

n

t r

Opstijgtijd

24

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

216

n

t f

Ouderdom

40

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.24

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.28

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC =400V,I C= 100A, R G= 3,3Ω,V GE =±15V, T j = 150o C

52

n

t r

Opstijgtijd

24

n

t d (afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

224

n

t f

Ouderdom

48

n

Eaan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.64

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.68

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤6μs,V GE = 15 V,

T j =150o C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

500

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

IF = 100A,V GE =0V,T j =25o C

1.55

2.00

V

IF = 100A,V GE =0V,T j = 125o C

1.50

IF = 100A,V GE =0V,T j = 150o C

1.45

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

3.57

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

99

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

1.04

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 125o C

6.49

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

110

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

1.70

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE =- 15V T j = 150o C

7.04

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

110

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

1.81

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

δR/R

Afwijking van R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

VOEDING

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/501/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/801/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/1001/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R thJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Verbinding Junction-to-Case (per D1,D4 Dio de)

Verbinding Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT)

Aansluiting-tot-Gevel (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T1,T4 IGBT)

Gevel-tot-Koeling (per D1,D4 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T2,T3 IGBT)

Gevel-tot-Koeling (per D2,D3 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Bevestigingskracht Per Klem

40

80

N

G

Gewicht van Module

39

g