Alle Categorieën

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD450HFX120C2SA,IGBT-module,STARPOWER

IGBT-module, 1200V 450A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD450HFX120C2SA
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 450A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C =100 o C

704

450

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

900

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T vj = 175 o C

2307

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

450

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

900

A

Module

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.70

2.15

V

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =125 o C

1.95

I C = 450 A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.00

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 18,0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

0.7

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

46.6

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

1.31

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

3.50

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =45 nH ,T vj =25 o C

284

n

t r

Opstijgtijd

78

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

388

n

t f

Ouderdom

200

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

45.0

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

33.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =45 nH ,T vj =125 o C

288

n

t r

Opstijgtijd

86

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

456

n

t f

Ouderdom

305

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

60.1

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

48.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 450A, R G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =45 nH ,T vj =150 o C

291

n

t r

Opstijgtijd

88

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

472

n

t f

Ouderdom

381

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

63.5

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

52.1

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F = 450 A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.90

2.35

V

I F = 450 A,V GE =0V,T vj =125 o C

2.00

I F = 450 A,V GE =0V,T vj =150 o C

2.05

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4500A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,T vj =25 o C

39.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

296

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

11.8

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4100A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,T vj =125 o C

58.6

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

309

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

17.7

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F = 450A,

-di/dt=4000A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,T vj =150 o C

83.6

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

330

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

20.3

mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

R thJC

Junctie -om -Casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.065 0.119

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.031 0.057 0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000