Alle categorieën
Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina/Producten/IGBT-module/IGBT Module 1200V

GD100HFQ120C1SD,IGBT Module,STARPOWER

1200V 100A, verpakking: C1

Brand:
Stardragers
Spu:
GD100HFQ120C1SD
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Korte introductie

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers .1200V 100A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale aansluittemperatuur 175
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Schakelmodus voeding
  • Inductieve verwarming
  • Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen T F =25o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

162

100

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

200

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T vj =175o C

595

W

Diode

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

100

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

200

A

Module

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand aas

7.5

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

10.8

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.30

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.84

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =25o C

59

n

t r

Opstijgtijd

38

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

209

n

t f

Ouderdom

71

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

11.2

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.15

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =125o C

68

n

t r

Opstijgtijd

44

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

243

n

t f

Ouderdom

104

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

14.5

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

4.36

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C=100A, R G=5.1Ω, V GE =±15V, LS =45nH ,T vj =150o C

71

n

t r

Opstijgtijd

46

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

251

n

t f

Ouderdom

105

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

15.9

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

4.63

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Diode Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

IF =100A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =100A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=961A/μs,V GE =-15V LS =45nH ,T vj =25o C

7.92

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

46.4

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

2.25

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=871A/μs,V GE =-15V LS =45nH ,T vj =125o C

15.0

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

54.5

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

5.08

mJ

V r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F =100A,

-di/dt=853A/μs,V GE =-15V LS =45nH ,T vj =150o C

18.8

μC

IRM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

58.9

A

Erec

Omgekeerd herstel Energie

6.67

mJ

Module Kenmerken T C=25o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

30

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.75

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.252 0.446

K/W

R thCH

Geval -naar -Verwarmingssink (perIGBT )De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.157 0.277 0.050

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

150

g

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam staat klaar voor uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
E-mail
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000