Kort inleiding
IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 400A.
Kenmerken
- NPT IGBT-technologie
- 10 μs kortsluiting
- Lage schakellosses
- VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
- Geval met lage inductance
- Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
- Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie
Typisch Toepassingen
- Schakelmodus voeding
- Inductieve verwarming
- Elektronische lasser
Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
IGBT
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
VCES |
Spanning van de collectieverzender |
1200 |
V |
VGES |
Spanning van de poort-emitter |
±20 |
V |
Ik |
Collectorstroom @ TC=25oC
@ TC=70oC
|
549
400
|
Een |
ICM |
Pulsed Collectorstroom tp=1ms |
800 |
Een |
PD |
Maximale vermogensafvoer @ T = 150oC |
2659 |
W |
Diode
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
VRRM |
Herhalende piektalen omgekeerde spanning |
1200 |
V |
IF |
Diode met continue voorstroom |
400 |
Een |
IFM |
Diode Maximale Voorwaartse Stroom tp=1ms |
800 |
Een |
Module
Symbool |
Beschrijving |
Waarde |
Eenheid |
Tjmax |
Maximale temperatuur van de knooppunt |
150 |
oC |
- Ja. |
Werktemperatuur van de knooppunt |
-40 tot +125 |
oC |
TSTG |
Opslagtemperatuurbereik |
-40 tot +125 |
oC |
VISO |
Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min |
2500 |
V |
IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V CE (sat)
|
Verzamelaar naar uitgevende instelling
Voltage van de verzadiging
|
I C = 400 A,V GE =15V, T j =25 o C |
|
2.90 |
3.35 |
V
|
I C = 400 A,V GE =15V, T j =125 o C |
|
3.60 |
|
V GE (th ) |
De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning |
I C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 o C |
4.5 |
5.5 |
6.5 |
V |
I CES |
Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld
Stroom
|
V CE = V CES ,V GE =0V,
T j =25 o C
|
|
|
5.0 |
mA |
I GES |
Doorlaat van de poort-emitter Stroom |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Interne poortweerstand aas |
|
|
0.6 |
|
ω |
C ies |
Ingangs capaciteit |
V CE =25V, f=1MHz,
V GE =0V
|
|
26.0 |
|
nF |
C res |
Omgekeerde overdracht
Vermogen
|
|
1.70 |
|
nF |
Q G |
Gate-lading |
V GE - Ik ben niet... 15...+15V |
|
4.2 |
|
μC |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,
V GE =±15V, T j =25 o C
|
|
76 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
57 |
|
n |
t d (afgeschakeld ) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
529 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
73 |
|
n |
E aan |
Aanzetten Schakelen
Verlies
|
|
5.2 |
|
mJ |
E afgeschakeld |
Afschakeling
Verlies
|
|
23.2 |
|
mJ |
t d (aan ) |
Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V CC = 600V,I C = 400A, R G = 2,2Ω,
V GE =±15V, T j = 125o C
|
|
81 |
|
n |
t r |
Opstijgtijd |
|
62 |
|
n |
t d (afgeschakeld ) |
Afsluiting Vertragingstijd |
|
567 |
|
n |
t f |
Ouderdom |
|
81 |
|
n |
E aan |
Aanzetten Schakelen
Verlies
|
|
9.9 |
|
mJ |
E afgeschakeld |
Afschakeling
Verlies
|
|
31.7 |
|
mJ |
I SC
|
SC-gegevens
|
t P ≤ 10 μs,V GE =15V,
T j =125 o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2800
|
|
Een
|
Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Testomstandigheden |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
V F |
Diode naar voren
Spanning
|
I F = 400 A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
1.96 |
2.31 |
V |
I F = 400 A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
1.98 |
|
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F = 400A,
-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C
|
|
24.9 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
317 |
|
Een |
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
16.0 |
|
mJ |
Q r |
Teruggevorderde heffing |
V R = 600V,I F = 400A,
-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 125o C
|
|
35.5 |
|
μC |
I RM |
Piek omgekeerd
Terugwinningstroom
|
|
391 |
|
Een |
E rec |
Omgekeerd herstel Energie |
|
21.4 |
|
mJ |
Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt
Symbool |
Parameter |
Min. |
- Een type. |
Max. |
Eenheid |
L CE |
Inductie van de afwijking |
|
|
20 |
nH |
R CC+EE |
Module leidingweerstand nce, terminal naar chip |
|
0.18 |
|
mΩ |
R thJC |
De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)
De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)
|
|
|
0.047
0.100
|
K/W |
R thCH
|
De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)
De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)
De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)
|
|
0.015
0.031
0.010
|
|
K/W |
M |
Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6 |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m |
G |
Gewicht van Module |
|
300 |
|
g |