GD100HCX170C6SA ,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

IC

Verzamelaarsstroom @ T C=25o C @ T C=100o C

196

100

A

ICm

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

200

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T vj =175o C

815

W

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1700

V

IF

Diode Continuous Forward Cu rrent

100

A

IFm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

200

A

Symbool

BESCHRIJVING

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

IC=100A,V GE =15V, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T vj =150o C

2.35

V GE (th)

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

IC=4.00mA ,V CE =V GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE =V CES ,V GE =0V, T vj =25o C

5.0

mA

IGES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE =V GES ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

7.5

ω

Cies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.29

nF

V G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V GE =±15V, LS =52nH ,T vj =25o C

196

n

t r

Opstijgtijd

44

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

298

n

t f

Ouderdom

367

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

26.4

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

14.7

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V GE =±15V, LS =52nH ,T vj =125o C

217

n

t r

Opstijgtijd

53

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

361

n

t f

Ouderdom

516

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

36.0

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

21.0

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C=100A, R G=1.0Ω,V GE =±15V, LS =52nH ,T vj =150o C

223

n

t r

Opstijgtijd

56

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

374

n

t f

Ouderdom

551

n

Eaan

Aanzetten Schakelen Verlies

39.1

mJ

Eafgeschakeld

Afschakeling Verlies

22.4

mJ

ISC

SC-gegevens

t P≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

400

A

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

1.10

mΩ

R thJC

Junctie -naar -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.184 0.274

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.060 0.090 0.009

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

g