YMIBD500-33, Modul IGBT, IGBT Suis Berganda, CRRC

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(nilai)

(Unit)

VCES

Voltan kolektor-emiter

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

± 20

V

I C

Arus kolektor-penerbit

Kes T = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C (((PK)

Arus puncak kolektor

1ms, T case = 140 °C

1000

A

P max

Maks. pengaliran kuasa transistor

Tvj = 150°C, kes T = 25 °C

5.2

kw

I 2t

Dioda

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Voltan penebat setiap modul

Terminal yang disambungkan ke plat asas),

AC RMS,1 minit, 50Hz

6000

V

Q PD

Pelepasan separa setiap modul

IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pC

T kes = 25 ° C T kes = 25° C kecuali dinyatakan jika tidak

(Simbol )

(Parameter)

(Syarat ujian)

(Min )

(Jenis )

(Max )

(Unit )

Saya CES

Arus pemotongan kolektor

V GE = 0V, V CE = V CES

1

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T kes = 125 °C

30

mA

V GE = 0V, V CE = V CES , T kes =150 °C

50

mA

Saya GES

Kebocoran pintu semasa

V GE = ±20V, V CE = 0V

1

μA

V GE (TH)

Voltan ambang pintu

Saya C = 40 mA , V GE = V CE

5.50

6.10

7.00

V

V CE (sat )*)

Penuh kolektor-emiter voltan

V GE =15V, Saya C = 500A

2.40

2.90

V

V GE =15V, Saya C = 500A, T vj = 125 °C

2.95

3.40

V

V GE =15V, Saya C = 500A, T vj = 150 °C

3.10

3.60

V

Saya F

Diod arus ke hadapan

DC

500

A

Saya Pendapatan

Dioda maksimum ke hadapan semasa

t P = 1ms

1000

A

V F *)

Voltan dioda ke hadapan

Saya F = 500A

2.10

2.60

V

Saya F = 500A, T vj = 125 °C

2.25

2.70

V

Saya F = 500A, T vj = 150 °C

2.25

2.70

V

C ies

Kapasiti input

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

90

nF

Q g

Bayaran pintu

±15V

9

μC

C res

Kapasiti pemindahan terbalik rujukan

V CE = 25V, V GE = 0V, f = 1MHz

2

nF

L M

Modul induktans

25

nH

R INT

Rintangan transistor dalaman

310

μΩ

Saya SC

Litar pendek semasa, Saya SC

T vj = 150°C, V CC = 2500V, V GE ≤ 15V, t p ≤ 10μs,

V CE (max ) = V CES – L *) × at /dt ,IEC 6074-9

1800

A

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

n

t f

Waktu kejatuhan

520

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

780

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

650

n

tr

Masa naik

260

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

730

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

420

A

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

480

mJ

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(Min)

(Jenis)

(Max)

(Unit)

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

n

t f

Waktu kejatuhan

550

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

900

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

630

n

tr

上升时间 Masa naik

280

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

880

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

460

A

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

760

mJ

(Simbol)

(Parameter)

(Syarat ujian)

(Min)

(Jenis)

(Max)

(Unit)

td ((off)

Masa kelewatan penutupan

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

n

t f

Waktu kejatuhan

560

n

E OFF

Kehilangan tenaga penutupan

1020

mJ

td ((on)

Masa kelewatan penyambutan

620

n

tr

Masa naik

280

n

EON

Kehilangan tenaga semasa menyala

930

mJ

Qrr

Muatan pemulihan diod terbalik

I F = 500A

VCE = 1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I r

Diod arus pemulihan terbalik

490

A

Erec

Diod pemulihan tenaga terbalik

900

mJ