GD100PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1700V 100A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
keupayaan litar pintas 10μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu persimpangan maksimum 175 ℃
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Inverter untuk pemacu motor
Penguat pemacu servo AC dan DC
Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Inverter IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1700	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =100 o C	161 100	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms	200	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C	592	W

Inverter dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang umur	1700	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	100	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms	200	A

Diode-rectifier

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang umur	1800	V
Saya O	Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus	100	A
Saya FSM	Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 o C	1600 1400	A
Saya 2t	Saya 2t-nilai,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C	13000 9800	A 2s

Modul

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
T jmax	Suhu Sambungan Maksimum (inverter) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)	175 150	o C
T jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	o C
T STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	o C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -inverter Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =100A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.20	V
		Saya C =100A,V GE =15V, T j =125 o C		2.25
		Saya C =100A,V GE =15V, T j =150 o C		2.35
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter Voltan	Saya C =4.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Rintangan Dalaman Gate			7.5		ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		12.0		nF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.29		nF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15 ...+15V		0.94		μC
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH , T j =25 o C		257		n
t r	Masa naik			47		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			377		n
t f	Waktu kejatuhan			382		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			24.6		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			16.7		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH, T j =125 o C		284		n
t r	Masa naik			56		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			444		n
t f	Waktu kejatuhan			555		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			34.9		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			23.1		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =100A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH, T j =150 o C		286		n
t r	Masa naik			60		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			465		n
t f	Waktu kejatuhan			636		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			38.0		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			26.1		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		400		A

Dioda -inverter Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya F =100A,V GE =0V,T j =25 o C		1.80	2.25	V
		Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.90
		Saya F =100A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Caj Dipulihkan	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1590A/μs,V GE =-15V L S =46 nH , T j =25 o C		13.3		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			107		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			8.79		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1300A/μs,V GE =-15V L S =46nH, T j =125 o C		25.0		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			111		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			18.6		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =900V,I F =100A, -di/dt=1230A/μs,V GE =-15V L S =46nH, T j =150 o C		28.0		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			112		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			20.4		mJ

Dioda -penyearah Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya C =100A, T j =150 o C		0.85		V
Saya R	Arus terbalik	T j =150 o C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi R 100	T C =100 o C r 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

Modul Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R thJC	Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)			0.253 0.424 0.289	K/W
R thCH	Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.105 0.176 0.120 0.009		K/W
M	Tork Pemasangan, Skrin:M5	3.0		6.0	N.M
G	Berat bagi Modul		300		g