GD100PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=100o C

161

100

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

200

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

592

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

200

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1800

V

IO

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

100

A

IFSM

Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-nilai,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=100A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=100A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Dalaman Gate

7.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

12.0

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.29

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

0.94

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH ,T j =25o C

257

n

t r

Masa naik

47

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

377

n

t f

Waktu kejatuhan

382

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

24.6

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.7

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH, T j =125o C

284

n

t r

Masa naik

56

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

444

n

t f

Waktu kejatuhan

555

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

34.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

23.1

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V GE =±15V, LS =46nH, T j =150o C

286

n

t r

Masa naik

60

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

465

n

t f

Waktu kejatuhan

636

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

38.0

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

26.1

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =100A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =100A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1590A/μs,V GE =-15V LS =46nH ,T j =25o C

13.3

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

107

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

8.79

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1300A/μs,V GE =-15V LS =46nH, T j =125o C

25.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

111

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

18.6

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1230A/μs,V GE =-15V LS =46nH, T j =150o C

28.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

112

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

20.4

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IC=100A, T j =150o C

0.85

V

IR

Arus terbalik

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)

0.253 0.424 0.289

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.105 0.176 0.120 0.009

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g