Modul IGBT,YMIF1200-33,IGBT Suis Tunggal,CRRC

Parameter

Simbol

Syarat

M dI

M kapak

Unit

Voltan kolektor-emiter

VCES

VGE=0V,Tvj≥25°C

3300

V

DC arus pengumpul

IC

TC =80 °C

1200

A

Arus puncak kolektor

ICM

tp = 1ms,Tc=80°C

2400

A

Voltan pengeluar pintu

VGE

-20

20

V

Jumlah pembebasan kuasa

Ptot

TC = 25°C, setiap suis ((IGBT)

10500

W

Arus Maju DC

IF

1200

A

Pasaran arus hadapan puncak

IFRM

tp = 1 ms

2400

A

Arus lonjakan

IFSM

VR = 0 V, Tvj = 125 °C,

tp = 10 ms, separuh gelombang sinus

9000

A

IGBT Pendek Sirkuit SOA

tpsc

VCC = 2500 V, VCEM CHIP ≤ 3300V VGE ≤ 15 V, Tvj ≤ 125 °C

10

μs

Voltan pengasingan

Visol

1 minit, f = 50 Hz

10200

V

Suhu persimpangan

TVj

150

°C

Suhu operasi sambungan

TVj ((op)

-50

125

°C

Suhu kes

TC

-50

125

°C

Suhu penyimpanan

TSTG

-50

125

°C

Tork pemasangan

M s

Pengering haba asas, skru M6

4

6

Nm

Mt1

Terminal utama, skru M8,

8

10

Mt2

Terminal bantu, skru M6

2

3

Parameter

Simbol

Syarat

min

jenis

max

Unit

Voltan pemisahan kolektor (- pemancar)

V ((BR) CES

VGE = 0 V, IC = 12 mA, Tvj = 25 °C

3300

V

Voltaj jenuh pengumpul-emitter

VCE duduk

C = 1200 A, VGE= 15 V

Tvj=25°C

3.1

3.4

V

Tvj=125°C

3.8

4.3

V

Arus pemotongan pengumpul

ICES

VCE = 3300 V, VGE = 0 V

Tvj=25°C

12

mA

Tvj=125°C

120

mA

Pasaran kebocoran pintu

IGES

VCE = 0 V, VGE = ± 20 V, Tvj =125 °C

-500

500

nA

Tegangan Ambang Gate-Emitter

VGE(th)

IC = 240mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C

5.5

7.5

V

Bayaran pintu

Qg

IC =1200 A VCE =1800V VGE = -15V ..15 V

12.1

μC

Kapasiti input

Ces

VCE = 25 V, V GE = 0 V, f = 1 MHz, Tvj = 25 °C

187

nF

Kapacitans Output

Coes

11.57

nF

Kapasiti pemindahan terbalik

Cres

2.22

nF

Masa kelewatan penyambutan

td ((on)

VCC = 1800 V, IC = 1200A,

RG = 3.9Ω ,VGE =±15V

L σ = 280nH, beban induktif

Tvj=25°C

750

n

Tvj=125°C

750

n

Masa naik

tr

Tvj=25°C

400

n

Tvj=125°C

470

n

Masa kelewatan penutupan

td ((off)

Tvj=25°C

1600

n

Tvj=125°C

1800

n

Waktu kejatuhan

tF

Tvj=25°C

1100

n

Tvj=125°C

1200

n

Kehilangan pertukaran hidup

EON

Tvj=25°C

1400

mJ

Tvj=125°C

1800

mJ

Tenaga kerugian suis mati

EOFF

Tvj=25°C

1300

mJ

Tvj=125°C

1700

mJ

Arus pendek😉

ISC

VCC = 2500 V, VGE = 15V, L σ = 280nH, beban induktif

5000

A

Parameter

Simbol

Syarat

min

jenis

max

Unit

Voltan Maju

VF

IF = 1200 A

Tvj = 25 °C

2.3

2.6

V

Tvj = 125 °C

2.35

2.6

V

Arus Pemulihan Balik

Irr

VCC= 1800 V, IC= 1200 A,

RG = 2.3Ω,VGE = ± 15V, L σ = 280nH, beban induktif

Tvj = 25 °C

900

A

Tvj = 125 °C

1000

A

Caj Dipulihkan

Qrr

Tvj = 25 °C

700

μC

Tvj = 125 °C

1000

μC

Masa Pemulihan Balik

trr

Tvj = 25 °C

850

n

Tvj = 125 °C

2200

n

Tenaga Pemulihan Balik

Erec

Tvj = 25 °C

850

mJ

Tvj = 125 °C

1300

mJ