GD900SGU120C3SN, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=80o C

1350

900

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

1800

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150o C

7.40

kw

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

900

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

1800

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC= 800A,V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC= 800A,V GE =15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC= 16.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

53.1

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

3.40

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

8.56

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C= 800A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

90

n

t r

Masa naik

81

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

500

n

t f

Waktu kejatuhan

55

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

36.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

41.3

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C= 800A, R G= 1.3Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

115

n

t r

Masa naik

92

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

550

n

t f

Waktu kejatuhan

66

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

52.5

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

59.4

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

5200

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF = 800A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

V

IF = 800A,V GE =0V,T j = 125o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j =25o C

56

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

550

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

38.7

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =900V,I F = 800A,

-di/dt=9500A/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

148

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

920

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

91.8

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

12

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

0.19

mΩ

R θ JC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

16.9

26.2

K/kW

R θ CS

Kes-ke-Sink (per IGBT)

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

19.7

30.6

K/kW

R θ CS

Kes-ke-Sink

6.0

K/kW

M

Tork Sambungan Terminal, Skru M4 Sambungan Terminal Tork, Skrin M8 Tork Pemasangan, Skrup M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

G

Berat dari Modul

1500

g