GD400CLU120C2S,IGBT Modul,Chopper dalam satu-pakej,STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C=60o C

505

400

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

800

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =150o C

2358

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1200

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

800

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=400A,V GE =15V, T j =25o C

2.90

3.35

V

IC=400A,V GE =15V, T j =125o C

3.60

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=4.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.5

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

26.2

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.68

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15...+15V

4.18

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=400A, R G=2.4Ω,

V GE =±15V, T j =25o C

337

n

t r

Masa naik

88

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

460

n

t f

Waktu kejatuhan

116

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

21.2

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

19.4

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=400A, R G=2.4Ω,

V GE =±15V, T j = 125o C

359

n

t r

Masa naik

90

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

492

n

t f

Waktu kejatuhan

128

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

29.4

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

26.0

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V

2400

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

2.00

2.45

V

IF =400A,V GE =0V,T j = 125o C

2.10

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j =25o C

27.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

280

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

16.6

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =400A,

-di/dt=2840A/μs,V GE =±15V, T j = 125o C

46.0

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

380

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

30.0

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per D iode)

0.053

0.103

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.048

0.094

0.032

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g