Pengenalan ringkas
Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1200V 600A.
Ciri-ciri
- Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
- keupayaan litar pintas 10μs
- VCE(sat) dengan pekali suhu positif
- Suhu sambungan maksimum 175oC
- Kes induktans rendah
- Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
- Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC
Pembolehubah Tipikal
- Inverter untuk pemacu motor
- Penguat pemacu servo AC dan DC
- Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan
Absolut Maksimum Penilaian T F =25o C kecuali jika tidak dicatat
IGBT
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V CES |
Voltan kolektor-emiter |
1200 |
V |
V GES |
Voltan penyiaran pintu |
±20 |
V |
Saya C |
Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =100o C |
1108
600
|
A |
Saya CM |
Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms |
1200 |
A |
P D |
Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C |
4054 |
W |
Dioda
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
V RRM |
Voltaj Balik Puncak Berulang umur |
1200 |
V |
Saya F |
Dioda berterusan ke hadapan Cu rental |
600 |
A |
Saya FM |
Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms |
1200 |
A |
Modul
Simbol |
Penerangan |
Nilai |
Unit |
T jmax |
Suhu Sambungan Maksimum |
175 |
o C |
T jop |
Suhu Sambungan Operasi |
-40 hingga +150 |
o C |
T STG |
Julat Suhu Penyimpanan |
-40 hingga +125 |
o C |
V ISO |
Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min |
4000 |
V |
IGBT Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V CE(sat)
|
Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh
|
Saya C =600A,V GE =15V, T j =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Saya C =600A,V GE =15V, T j =125o C |
|
1.90 |
|
Saya C =600A,V GE =15V, T j =150o C |
|
1.95 |
|
V GE (th ) |
Ambang Gate-Emitter Voltan |
Saya C =24.0mA ,V CE =V GE , T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Saya CES |
Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa |
V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Saya GES |
Kebocoran Gate-Emitter Semasa |
V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Rintangan Dalaman Gate |
|
|
0.7 |
|
ω |
C ies |
Kapasiti input |
V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V |
|
62.1 |
|
nF |
C res |
Pemindahan Balik Kapasitans |
|
1.74 |
|
nF |
Q G |
Bayaran pintu |
V GE =-15…+15V |
|
4.62 |
|
μC |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE = ± 15V,T j =25o C
|
|
266 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
82 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
400 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
192 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
65.7 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
52.3 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE = ± 15V,T j =125o C
|
|
282 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
94 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
448 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
290 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
96.2 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
67.3 |
|
mJ |
t d (pada ) |
Masa kelewatan penyambutan |
V CC =600V,I C =600A, R G =1.2Ω, L S =34nH , V GE = ± 15V,T j =150o C
|
|
286 |
|
n |
t r |
Masa naik |
|
94 |
|
n |
t d (((off) |
Matikan Masa Lembapan |
|
459 |
|
n |
t f |
Waktu kejatuhan |
|
299 |
|
n |
E pada |
Hidupkan Penukaran Kerugian |
|
107 |
|
mJ |
E dimatikan |
Pemadaman Suis Kerugian |
|
70.3 |
|
mJ |
|
Saya SC
|
Data SC
|
t P ≤10μs, V GE =15V,
T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
|
V F
|
Dioda Maju Voltan |
Saya F =600A,V GE =0V,T j =25o C |
|
1.95 |
2.40 |
V
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =125o C |
|
2.05 |
|
Saya F =600A,V GE =0V,T j =150o C |
|
2.10 |
|
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=5500A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =25o C
|
|
23.8 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
260 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
11.7 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4700A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =125o C
|
|
65.1 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
293 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
26.4 |
|
mJ |
Q r |
Caj Dipulihkan |
V CC =600V,I F =600A,
-di/dt=4600A/μs, L S =34nH, V GE =-15V,T j =150o C
|
|
76.7 |
|
μC |
Saya RM |
Puncak Terbalik
Arus pemulihan
|
|
306 |
|
A |
E rEC |
Pemulihan Terbalik Tenaga |
|
30.6 |
|
mJ |
NTC Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Keadaan Ujian |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
R 25 |
Rintangan bertaraf |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Pengecualian bagi R 100 |
T C =100 o C r 100= 493.3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Kuasa
Perosakan
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
Nilai B |
R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modul Ciri-ciri T C =25o C kecuali jika tidak dicatat
Simbol |
Parameter |
Min. |
- TIP. |
Max. |
Unit |
L CE |
Induktans Terbuang |
|
20 |
|
nH |
R CC’+EE’ |
Rintangan Modul, Terminal Ke Cip |
|
0.80 |
|
mΩ |
R thJC |
Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode) |
|
|
0.037 0.065 |
K/W |
|
R thCH
|
Case-to-Heatsink (per IGBT) Kes-ke-pemanas (pe r Diode) Case-to-Heatsink (per Modul) |
|
0.028 0.050 0.009 |
|
K/W |
M |
Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
N.M |
G |
Berat bagi Modul |
|
350 |
|
g |
EN
