GD400HFX170C2S, Modul IGBT, STARPOWER

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C

@ T C= 100o C

648

400

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

800

A

PD

Pelepasan Kuasa Maksimum T =175o C

2380

W

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Tegangan Terbalik Puncak Berulang

1700

V

IF

Arus Maju Berterusan Diod =0V,

400

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

800

A

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Suhu penyimpanan Julat

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan penebat RMS,f=50Hz,t=1 mIN

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter

Voltan Jenuh

IC=400A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=400A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

IC=400A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC= 16.0mA,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan

Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.88

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz,

V GE =0V

48.2

nF

Cres

Pemindahan Balik

Kapasitans

1.17

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =- 15V…+15V

3.77

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=400A, R G=0.82Ω,V GE =±15V, T j =25o C

204

n

t r

Masa naik

38

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

425

n

t f

Waktu kejatuhan

113

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

97.9

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

84.0

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=400A, R G=0.82Ω,V GE =±15V, T j =125o C

208

n

t r

Masa naik

50

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

528

n

t f

Waktu kejatuhan

184

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

141

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

132

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C=400A, R G=0.82Ω,V GE =±15V, T j =150o C

216

n

t r

Masa naik

50

n

t d (dimatikan )

Matikan Masa Lembapan

544

n

t f

Waktu kejatuhan

204

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran

Kerugian

161

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis

Kerugian

137

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs,V GE =15V,

T j =150o C,V CC = 100V, V CEM ≤1700V

1600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju

Voltan

IF =400A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =400A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =400A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

116

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

666

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

63.8

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

187

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

662

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

114

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =400A,

-di/dt=8800A/μs,V GE =- 15V T j =150o C

209

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

640

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

132

mJ

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Rintangan Pemimpin Modul nce, Terminal ke Cip

0.35

mΩ

R thJC

Junction-to-Case (per IGB T)

Junction-to-Case (per Di ode)

0.063

0.105

K/W

R thCH

Case-to-Heatsink (per IGBT)

Case-to-Heatsink (p er Diode)

Case-to-Heatsink (per Modul)

0.032

0.053

0.010

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrup M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Berat dari Modul

300

g