GD150PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Pengenalan

Pendahuluan ringkas

Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER . 1700V 150A.

Ciri-ciri

Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
keupayaan litar pintas 10μs
VCE(sat) dengan pekali suhu positif
Suhu sambungan maksimum 175oC
Kes induktans rendah
Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Pembolehubah Tipikal

Inverter untuk pemacu motor
Penguat pemacu servo AC dan DC
Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian T F =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Inverter IGBT

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V CES	Voltan kolektor-emiter	1700	V
V GES	Voltan penyiaran pintu	±20	V
Saya C	Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C = 95 o C	232 150	A
Saya CM	Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms	300	A
P D	Maksimum kuasa Pembaziran @ T j = 175 o C	828	W

Inverter dioda

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang umur	1700	V
Saya F	Dioda berterusan ke hadapan Cu rental	150	A
Saya FM	Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms	300	A

Diode-rectifier

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
V RRM	Voltaj Balik Puncak Berulang umur	1800	V
Saya O	Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus	150	A
Saya FSM	Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j = 25o C @ T j =150 o C	1600 1400	A
Saya 2t	Saya 2t-nilai,t p =10ms @ T j =25 o C @ T j =150 o C	13000 9800	A 2s

Modul

Simbol	Penerangan	Nilai	Unit
T jmax	Suhu Sambungan Maksimum (inverter) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)	175 150	o C
T jop	Suhu Sambungan Operasi	-40 hingga +150	o C
T STG	Julat Suhu Penyimpanan	-40 hingga +125	o C
V ISO	Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -inverter Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V CE(sat)	Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh	Saya C =150A,V GE =15V, T j =25 o C		1.85	2.20	V
		Saya C =150A,V GE =15V, T j =125 o C		2.25
		Saya C =150A,V GE =15V, T j =150 o C		2.35
V GE (th )	Ambang Gate-Emitter Voltan	Saya C =6.00 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
Saya CES	Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			5.0	mA
Saya GES	Kebocoran Gate-Emitter Semasa	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Rintangan Gerbang Dalaman ance			4.3		ω
C ies	Kapasiti input	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		18.1		nF
C res	Pemindahan Balik Kapasitans	V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V		0.44		nF
Q G	Bayaran pintu	V GE =-15 ...+15V		1.41		μC
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T j =25 o C		292		n
t r	Masa naik			55		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			458		n
t f	Waktu kejatuhan			392		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			33.6		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			26.3		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T j =125 o C		342		n
t r	Masa naik			67		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			520		n
t f	Waktu kejatuhan			568		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			50.5		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			35.7		mJ
t d (pada )	Masa kelewatan penyambutan	V CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46 nH ,T j =150 o C		352		n
t r	Masa naik			68		n
t d (((off)	Matikan Masa Lembapan			535		n
t f	Waktu kejatuhan			589		n
E pada	Hidupkan Penukaran Kerugian			53.3		mJ
E dimatikan	Pemadaman Suis Kerugian			36.3		mJ
Saya SC	Data SC	t P ≤10μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V		600		A

Dioda -inverter Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya F =150A,V GE =0V,T j =25 o C		1.80	2.25	V
		Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.90
		Saya F =150A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.95
Q r	Caj Dipulihkan	V R =900V,I F =150A, -di/dt=2340A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T j =25 o C		21.3		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			183		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			20.4		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =900V,I F =150A, -di/dt=2000A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T j =125 o C		36.2		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			196		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			33.9		mJ
Q r	Caj Dipulihkan	V R =900V,I F =150A, -di/dt=1830A/μs,V GE =-15V L S =46 nH ,T j =150 o C		41.2		μC
Saya RM	Puncak Terbalik Arus pemulihan			199		A
E rEC	Pemulihan Terbalik Tenaga			36.3		mJ

Dioda -penyearah Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
V F	Dioda Maju Voltan	Saya C =150A, T j =150 o C		0.90		V
Saya R	Arus terbalik	T j =150 o C,V R =1800V			3.0	mA

NTC Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Keadaan Ujian	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R 25	Rintangan bertaraf			5.0		kΩ
∆R/R	Pengecualian bagi R 100	T C =100 o C r 100= 493.3Ω	-5		5	%
P 25	Kuasa Perosakan				20.0	mW
B 25/50	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3375		K
B 25/80	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3411		K
B 25/100	Nilai B	R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]		3433		K

Modul Ciri-ciri T C =25 o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol	Parameter	Min.	- TIP.	Max.	Unit
R thJC	Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)			0.181 0.300 0.289	K/W
R thCH	Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Case-to-Heatsink (per Modul)		0.092 0.152 0.146 0.009		K/W
M	Tork Pemasangan, Skrin:M5	3.0		6.0	N.M
G	Berat bagi Modul		300		g