GD150PFX170C6SG,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1700

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25o C @ T C =95o C

232

150

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

300

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

828

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1700

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

150

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

300

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1800

V

Saya O

Arus Keluaran Purata 5 0Hz/60Hz,gelombang sinus

150

A

Saya FSM

Arus Lonjakan Maju t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

Saya 2t

Saya 2t-nilai,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A 2s

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum (inverter) Suhu Sambungan Maksimum (rectifier)

175

150

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =150A,V GE =15V, T j =25o C

1.85

2.20

V

Saya C =150A,V GE =15V, T j =125o C

2.25

Saya C =150A,V GE =15V, T j =150o C

2.35

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =6.00mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

4.3

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

18.1

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.44

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH ,T j =25o C

292

n

t r

Masa naik

55

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

458

n

t f

Waktu kejatuhan

392

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

33.6

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

26.3

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH ,T j =125o C

342

n

t r

Masa naik

67

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

520

n

t f

Waktu kejatuhan

568

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

50.5

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

35.7

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =900V,I C =150A, R G =4.7Ω,V GE =±15V, L S =46nH ,T j =150o C

352

n

t r

Masa naik

68

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

535

n

t f

Waktu kejatuhan

589

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

53.3

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

36.3

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤1700V

600

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =150A,V GE =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

Saya F =150A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

Saya F =150A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V GE =-15V L S =46nH ,T j =25o C

21.3

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

183

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

20.4

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V GE =-15V L S =46nH ,T j =125o C

36.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

196

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

33.9

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V GE =-15V L S =46nH ,T j =150o C

41.2

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

199

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

36.3

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya C =150A, T j =150o C

0.90

V

Saya R

Arus terbalik

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi R 100

T C =100 o C r 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT -inverter ) Sambungan-ke-Kes (setiap DIODE-inverter er) Sambungan-ke-Kes (setiap Diod-rectif ier)

0.181 0.300 0.289

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT -inverter )Kes-ke-Penyerap Haba (setiap Diod-i nverter) Kes-kepada-Penyerap Haba (setiap Diod-re ifier) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrin:M5

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g