Semua Kategori
Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Modul IGBT 1200V

Modul IGBT 1200V

Laman Utama/Produk/Modul IGBT/Modul IGBT 1200V

GD225HFX120C6S,Modul IGBT,STARPOWER

Modul IGBT,1200V 225A, Pakej:C6.1

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HFX120C6S
  • Pengenalan
  • Gambaran Ringkas
  • Skematik Litar Setara
Pengenalan

Pengenalan ringkas

Modul IGBT ,dihasilkan oleh STARPOWER .1200V 225A.

Ciri-ciri

  • Teknologi IGBT Trench VCE(sat) Rendah
  • keupayaan litar pintas 10μs
  • VCE(sat) dengan pekali suhu positif
  • Suhu persimpangan maksimum 175
  • Kes induktans rendah
  • Pemulihan terbalik cepat & lembut anti-paralel FWD
  • Papan asas tembaga terasing menggunakan teknologi DBC

Aplikasi Lazim

  • Inverter untuk pemacu motor
  • Penguat pemacu servo AC dan DC
  • Bekalan Kuasa Tanpa Gangguan

Absolut Maksimum Penilaian T F =25o C kecuali jika tidak dicatat

IGBT

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

IC

Arus Pengumpul @ T C=25o C @ T C=195o C

338

225

A

ICm

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

450

A

PD

Maksimum kuasa Pembaziran @ T j =175o C

1071

W

Dioda

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

IF

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

225

A

IFM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

450

A

Modul

Simbol

PERIHAL

Nilai

UNIT

T jmax

Suhu Sambungan Maksimum

175

o C

T jop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +150

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

IC=225A,V GE =15V, T j =25o C

1.75

2.20

V

IC=225A,V GE =15V, T j =125o C

2.00

IC=225A,V GE =15V, T j =150o C

2.05

V GE (th)

Ambang Gate-Emitter Voltan

IC=8.16mA ,V CE =V GE , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE =V CES ,V GE =0V, T j =25o C

1.0

mA

IGES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE =V GES ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

0.7

ω

Cies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

23.3

nF

Cres

Pemindahan Balik Kapasitans

0.65

nF

S G

Bayaran pintu

V GE =-15 ...+15V

1.75

μC

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=225A, R G= 1.6Ω,V GE =±15V, T j =25o C

136

n

t r

Masa naik

34

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

372

n

t f

Waktu kejatuhan

69

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

5.78

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

16.7

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=225A, R G= 1.6Ω,V GE =±15V, T j =125o C

145

n

t r

Masa naik

34

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

461

n

t f

Waktu kejatuhan

88

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

10.6

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

26.0

mJ

t d (aktif )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C=225A, R G= 1.6Ω,V GE =±15V, T j =150o C

153

n

t r

Masa naik

34

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

490

n

t f

Waktu kejatuhan

98

n

Eaktif

Hidupkan Penukaran Kerugian

12.8

mJ

Edimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

28.9

mJ

ISC

Data SC

t P≤10μs, V GE =15V,

T j =150o C,V CC =800V, V CEM ≤1200V

900

A

Dioda Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

V F

Dioda Maju Voltan

IF =225A,V GE =0V,T j =25o C

1.85

2.30

V

IF =225A,V GE =0V,T j =125o C

1.90

IF =225A,V GE =0V,T j =150o C

1.95

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, T j =25o C

25.9

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

345

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

11.8

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, T j =125o C

49.5

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

368

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

21.6

mJ

S r

Caj Dipulihkan

V CC =600V,I F =225A,

-di/dt=5600A/μs,V GE =-15V, T j =150o C

56.4

μC

IRM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

391

A

ErEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

24.5

mJ

NTC Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

∆R/R

Pengecualian dari R 100

T C=100 o Cr 100= 493.3Ω

-5

5

%

P25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/501/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/801/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/1001/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Modul Ciri-ciri T C=25o C kecuali jika tidak dicatat

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

UNIT

LCE

Induktans Terbuang

20

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

1.10

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per D iode)

0.140 0.203

K/W

R thCH

Kes -kepada -Pencuci haba (perIGBT ) Case-to-Heatsink (per Diod) Case-to-Heatsink (per Modul)

0.030 0.044 0.009

K/W

M

Tork Sambungan Terminal, Skrup M6 Tork Pemasangan, Skrin M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Berat dari Modul

350

g

Gambaran Ringkas

Skematik Litar Setara

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Produk Berkaitan

Ada soalan tentang sebarang produk?

Pasukan jualan profesional kami menunggu untuk berunding dengan anda.
Anda boleh mengikuti senarai produk mereka dan bertanya sebarang soalan yang anda peduli.

Dapatkan Sebut Harga

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000

Dapatkan Sebut Harga Percuma

Wakil kami akan menghubungi anda tidak lama lagi.
E-mel
Nama
Nama syarikat
Mesej
0/1000