GD100HHU120C6SD,Modul IGBT,STARPOWER

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V CES

Voltan kolektor-emiter

1200

V

V GES

Voltan penyiaran pintu

±20

V

Saya C

Arus Pengumpul @ T C =25 o C @ T C =75 o C

146

100

A

Saya CM

Arus Pengumpul Berdenyut t p =1ms

200

A

P D

Maksimum kuasa Pembaziran @ T vj =150 o C

771

W

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

V RRM

Voltaj Balik Puncak Berulang umur

1200

V

Saya F

Dioda berterusan ke hadapan Cu rental

100

A

Saya FM

Arus Maju Maksimum Diode t p =1ms

200

A

Simbol

Penerangan

Nilai

Unit

T vjmax

Suhu Sambungan Maksimum

150

o C

T vjop

Suhu Sambungan Operasi

-40 hingga +125

o C

T STG

Julat Suhu Penyimpanan

-40 hingga +125

o C

V ISO

Voltan Pengasingan RMS,f=50Hz,t= 1min

2500

V

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V CE(sat)

Pengumpul kepada Emitter Voltan Jenuh

Saya C =100A,V GE =15V, T vj =25 o C

3.00

3.45

V

Saya C =100A,V GE =15V, T vj =125 o C

3.80

V GE (th )

Ambang Gate-Emitter Voltan

Saya C =4.0 mA ,V CE = V GE , T vj =25 o C

4.5

5.5

6.5

V

Saya CES

Kolektor Potongan -Dimatikan Semasa

V CE = V CES ,V GE =0V, T vj =25 o C

5.0

mA

Saya GES

Kebocoran Gate-Emitter Semasa

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Rintangan Gerbang Dalaman ance

1.0

ω

C ies

Kapasiti input

V CE =25V,f=1MHz, V GE =0V

6.50

nF

C res

Pemindahan Balik Kapasitans

0.42

nF

Q G

Bayaran pintu

V GE =-15…+15V

1.10

μC

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =±15V, Ls =48 nH ,T vj =25 o C

38

n

t r

Masa naik

50

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

330

n

t f

Waktu kejatuhan

27

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

8.92

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

2.06

mJ

t d (pada )

Masa kelewatan penyambutan

V CC =600V,I C =100A, R G =9.1Ω,V GE =±15V, Ls =48 nH ,T vj =125 o C

37

n

t r

Masa naik

50

n

t d (((off)

Matikan Masa Lembapan

362

n

t f

Waktu kejatuhan

43

n

E pada

Hidupkan Penukaran Kerugian

10.7

mJ

E dimatikan

Pemadaman Suis Kerugian

3.69

mJ

Saya SC

Data SC

t P ≤10μs, V GE =15V,

T vj =125 o C ,V CC =900V, V CEM ≤1200V

650

A

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

V F

Dioda Maju Voltan

Saya F =100A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V

Saya F =100A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2245A/μs,V GE =-15V Ls =48 nH ,T vj =25 o C

11.5

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

101

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

4.08

mJ

Q r

Caj Dipulihkan

V R =600V,I F =100A,

-di/dt=2352A/μs,V GE =-15V Ls =48 nH ,T vj =125 o C

19.0

μC

Saya RM

Puncak Terbalik

Arus pemulihan

120

A

E rEC

Pemulihan Terbalik Tenaga

7.47

mJ

Simbol

Parameter

Keadaan Ujian

Min.

- TIP.

Max.

Unit

R 25

Rintangan bertaraf

5.0

kΩ

∆R/R

Pengecualian bagi R 100

T vj =100 o C,R 100= 493.3Ω

-5

5

%

P 25

Kuasa

Perosakan

20.0

mW

B 25/50

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/50 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3375

K

B 25/80

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/80 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3411

K

B 25/100

Nilai B

R 2=R 25exp [B 25/100 1/T 2- 1/ ((298.15K))]

3433

K

Simbol

Parameter

Min.

- TIP.

Max.

Unit

L CE

Induktans Terbuang

21

nH

R CC’+EE’

Modul rintangan plumbum, Terminal ke cip

2.60

mΩ

R thJC

Sambungan -kepada -Kes (perIGBT ) Junction-to-Case (per Di ode)

0.162 0.401

K/W

R thCH

Kes -kepada -Singki (perIGBT )

Kasus-ke-Sink (setiap Dioda)

Kes-ke-pemanas (per M odul)

0.051 0.125 0.009

K/W

M

Tork Pemasangan, Skrup M6

3.0

6.0

N.M

G

Berat bagi Modul

300

g