GD400SGU120C2SD, IGBT modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1200

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C@ T C=65o C

542

400

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

800

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =150o C

2840

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1200

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

400

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

800

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T vjmax

Maksimālā savienojuma temperatūra

150

o C

T vjop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +125

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

2500

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C

3.10

3.55

V

IC=400A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C

3.95

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=16mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C

4.9

5.9

6.9

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C

5.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

0.63

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

27.0

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

1.64

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15V…+15V

4.32

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, R G=2.2Ω, V ĢEN =±15V, LS =50nH ,T vj =25o C

275

ns

t r

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

455

ns

t f

Nolieku laiks

45

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

26.0

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

16.2

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 600V,I C=400A, R G=2.2Ω, V ĢEN =±15V, LS =50nH ,T vj =125o C

281

ns

t r

Atkāpšanās laiks

69

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

495

ns

t f

Nolieku laiks

57

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

32.9

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

19.9

mJ

ISC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T vj =125o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2700

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF =400A,V ĢEN =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =400A,V ĢEN =0V,T vj =125o C

1.90

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =400A,

-di/dt=5666A/μs,V ĢEN =-15V, LS =50nH ,T vj =25o C

42.0

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

329

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

16.2

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 600V,I F =400A,

-di/dt=5534A/μs,V ĢEN =-15V, LS =50nH ,T vj =125o C

71.9

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

382

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

30.0

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

LCE

Neatklāta induktantība

20

nH

R CC+EE

Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu

0.35

mΩ

R tJC

Savienojums —līdz —Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode)

0.044 0.107

K/W

R tCH

Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet)

0.014 0.034 0.010

K/W

M

Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g