Īsa ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 600A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietošanas jomas
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T C=25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
IC |
Kolektors Pašreizējais @ T C=25o C
@ T C= 100o C
|
1069
600
|
A |
ICm |
Pulss Kolektors Pašreizējais t p =1ms |
1200 |
A |
PD |
Maksimāli Enerģiju Zudums @ T j =175o C |
4166 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
V |
IF |
Dioda nepārtraukta tālvadība |
600 |
A |
IFM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
APRAKSTS |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra uzvedība |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācija Spriegums RMS ,f=50 Hz ,t=1 mINŪTE |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (= 40 )
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
IC= 600A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
IC= 600A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.25 |
|
IC= 600A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
IC= 12.0mA ,V CE =V ĢEN ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ITips |
Slēgtā daļa
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
I=150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V,
T j =25o C
|
|
|
400 |
nA |
R Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
1.1 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1 = 25V, ,
V ĢEN =0V
|
|
72.3 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.75 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V, IC= 600A, R G= 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
160 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
67 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
527 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
138 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
154 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
132 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V, IC= 600A, R G= 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
168 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
80 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
585 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
168 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
236 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
189 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V, IC= 600A, R G= 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
192 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
80 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
624 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
198 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
259 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
195 |
|
mJ |
|
ISC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
IF = 600A, V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
IF = 600A, V ĢEN =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
IF = 600A, V ĢEN =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V, IF = 600A,
—di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
153 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
592 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
76.5 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V, IF = 600A,
—di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
275 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
673 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
150 |
|
mJ |
J r |
Atgūstamā nodeva |
V R = 900V, IF = 600A,
—di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
299 |
|
μC |
IRM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
690 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
173 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
R 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Atkāpe no R 100 |
T C= 100 o Cr 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B- vērtību |
R 2=R 25eks [B 25/501/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B- vērtību |
R 2=R 25eks [B 25/801/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B- vērtību |
R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2—
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
20 |
|
nH |
R CC ’+EE ’ |
Modulā Rūgtumvirziens, termināls uz Čipu |
|
1.10 |
|
mΩ |
R tJC |
Savienojums —līdz —Gadījums (par IGBT )
Savienojums —līdz —Gadījums (par Dioda )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
R tCH
|
Gadījums —līdz —Siltumapdalītājs (par IGBT )
Gadījums —līdz —Siltumapdalītājs (par Dioda )
Izmantošana
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
M |
Terminala savienojuma griezes moments, Šķirp M6 Montāža Nomākšanas , Šķirp M5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.m. |
G |
SVARU Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
