Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1700V 600A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietojuma jomas
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1700 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektors Pašreizējais @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
1069
600
|
A |
T CM |
Pulss Kolektors Pašreizējais t p =1ms |
1200 |
A |
P D |
Maksimālais Enerģiju Zudums @ T j =175o C |
4166 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1700 |
V |
T F |
Dioda nepārtraukta tālvadība |
600 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra uzvedība |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 pret +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 pret +125 |
o C |
V ISO |
Izolācija Spriegums RMS ,f=50 Hz ,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (= 40 )
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
T C = 600A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.85 |
2.20 |
V
|
T C = 600A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
2.25 |
|
T C = 600A, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.35 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C = 12.0mA ,V CE =V ĢEN ,T j =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
T Tips |
Slēgtā daļa
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
5.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V,
T j =25o C
|
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
1.1 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1 = 25V, ,
V ĢEN =0V
|
|
72.3 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.75 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
5.66 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V, T C = 600A, Stienis G = 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
160 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
67 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
527 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
138 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
154 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
132 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V, T C = 600A, Stienis G = 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 125o C
|
|
168 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
80 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
585 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
168 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
236 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
189 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 900V, T C = 600A, Stienis G = 1.0Ω, V ĢEN =±15V, T j = 150o C
|
|
192 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
80 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
624 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
198 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
259 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
195 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C ,V CC = 1000V, V CEM ≤ 1700V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
T F = 600A, V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
1.80 |
2.25 |
V
|
T F = 600A, V ĢEN =0V, T j = 125o C |
|
1.90 |
|
T F = 600A, V ĢEN =0V, T j = 150o C |
|
1.95 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V, T F = 600A,
-di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =25o C
|
|
153 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
592 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
76.5 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V, T F = 600A,
-di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =125o C
|
|
275 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
673 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
150 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 900V, T F = 600A,
-di /dt =6700A/μs, V ĢEN =- 15V T j =150o C
|
|
299 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
690 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
173 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Atkāpe no Stienis 100 |
T C = 100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B- vērtību |
Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B- vērtību |
Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B- vērtību |
Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2-
1/(298.15K))]
|
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
20 |
|
nH |
Stienis CC ’+EE ’ |
Modulā Rūgtumvirziens, termināls uz Čipu |
|
1.10 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (par IGBT )
Savienojums -pret -Gadījums (par Dioda )
|
|
|
0.036
0.073
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (par IGBT )
Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (par Dioda )
Izmantošana
|
|
0.027
0.055
0.009
|
|
K/W
|
M |
Terminala savienojuma griezes moments, Šķirp M6 Montāža Nomākšanas , Šķirp M 5 |
3.0
3.0
|
|
6.0
6.0
|
N.m. |
G |
SVARU Modulis |
|
350 |
|
g |
EN
