GD150PFX170C6SG, IGBT Modulis, STARPOWER

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V Tips

Sildītājs-izsildītājs

1700

V

V =150 °C

Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums

±20

V

IC

Kolektora strāva @ T C=25o C@ T C=95o C

232

150

A

ICm

Impulsu kolektora strāva t p =1ms

300

A

PD

Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C

828

V

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtības

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1700

V

IF

Dioda nepārtraukta uz priekšu īr

150

A

IFM

Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms

300

A

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

V RRM

Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums

1800

V

IO

Vidējā izvades strāva 5 0Hz/60Hz, sinusoida

150

A

IFSM

Pārsprieguma priekšējā strāva t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-vērtība,t p =10ms @ T j =25o C @ T j =150o C

13000

9800

A2s

Sīkāku informāciju

APRAKSTS

Vērtību

Vienība

T jmax

Maksimālā savienojuma temperatūra (inverteris) Maksimālā savienojuma temperatūra (pretējās straumes pārveidotājs)

175

150

o C

T žop

Darbības savienojuma temperatūra

-40 līdz +150

o C

T STG

Uzglabāšanas temperatūras diapazons

-40 līdz +125

o C

V ISO

Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min

4000

V

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V CE (sat)

Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums

IC=150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C

2.25

IC=150A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C

2.35

V ĢEN (th)

Vārda emitenta slieksnis Spriegums

IC=6.00mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ITips

Kolektors Griezts —Izslēgt Pašreizējais

V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C

5.0

mA

I=150 °C

Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais

V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C

400

nA

R Gint

Iekšējā vārtu pretestība - - - -

4.3

ω

C125 °C

Ies

V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V

18.1

mHz

Cpretestība

Atgriezītais pārvedums Jauda

0.44

mHz

J G

NF

V ĢEN =-15 ...+15V

1.41

μC

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T j =25o C

292

ns

t r

Atkāpšanās laiks

55

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

458

ns

t f

Nolieku laiks

392

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

33.6

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

26.3

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T j =125o C

342

ns

t r

Atkāpšanās laiks

67

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

520

ns

t f

Nolieku laiks

568

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

50.5

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

35.7

mJ

t d (ieslēgts )

Slēgšanas kavējuma laiks

V CC = 900V,I C=150A, R G=4.7Ω,V ĢEN =±15V, LS =46nH ,T j =150o C

352

ns

t r

Atkāpšanās laiks

68

ns

t d(izslēgt)

Izslēgt Atlikušais laiks

535

ns

t f

Nolieku laiks

589

ns

Eieslēgts

Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi

53.3

mJ

Eizslēgt

Izslēgtas Zaudējumi

36.3

mJ

ISC

SC dati

t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums

T j =150o C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

600

A

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IF =150A,V ĢEN =0V,T j =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V ĢEN =0V,T j =125o C

1.90

IF =150A,V ĢEN =0V,T j =150o C

1.95

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=2340A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T j =25o C

21.3

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

183

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

20.4

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=2000A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T j =125o C

36.2

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

196

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

33.9

mJ

J r

Atgūstamā nodeva

V R = 900V,I F =150A,

-di/dt=1830A/μs,V ĢEN =-15V LS =46nH ,T j =150o C

41.2

μC

IRM

Augstais augstums

Atgūšanas strāvas

199

A

Erec

Atgriezeniska atgūšana Enerģija

36.3

mJ

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

V F

Diode uz priekšu Spriegums

IC=150A, T j =150o C

0.90

V

IR

Atpakaļgaitas strāva

T j =150o C,V R =1800V

3.0

mA

Sīkāku informāciju

Parametrs

Testēšanas apstākļi

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R 25

Nominālais pretestība

5.0

kΩ

∆R/R

Atkāpe no R 100

T C=100 o Cr 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Enerģiju

Zudums

20.0

mW

B 25/50

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/501/T 2— 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/801/T 2— 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B vērtība

R 2=R 25eks [B 25/1001/T 2— 1/(298.15K))]

3433

K

Sīkāku informāciju

Parametrs

Min.

Tips.

Max.

Vienība

R tJC

Savienojums —līdz —Gadījums (perIGBT —inverters ) Saistība starp savienojumu un korpusu (katram DĪODA-invertoru er) Savinieks-līdz sargkorpuss (katram diodam-retif ier)

0.181 0.300 0.289

K/W

R tCH

Gadījums —līdz —Siltumapdalītājs (perIGBT —inverters )Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-i nverters) Sargkorpuss-līdz šķērslim (katram diodam-re ctifiers) Izmērs: Modulis)

0.092 0.152 0.146 0.009

K/W

M

Monta griezes moments, Šķirbju:M5

3.0

6.0

N.m.

G

Svars no Modulis

300

g