Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 300A.
Īpašības
-
Zema VCE (sat) Trenažas IGBT tehnoloģija
- 6 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
-
VCE (sat) ar pozitīvs temperatūra koeficients
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C @ T C =100o C |
320
300
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
600 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
1063 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
600 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtības |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.40 |
1.85 |
V
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.60 |
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =175o C |
|
1.60 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =8mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.5 |
6.3 |
7.0 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.5 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V |
|
51.5 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
0.36 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =-15 ...+15V |
|
4.50 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =1.5Ω, Ls=32nH, V ĢEN =±15V,
T j =25o C
|
|
405 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
83 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
586 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
129 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
34.3 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
19.3 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =1.5Ω, Ls=32nH, V ĢEN =±15V,
T j =125o C
|
|
461 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
107 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
676 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
214 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
48.0 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
26.6 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 300A, Stienis G =1.5Ω, Ls=32nH, V ĢEN =±15V,
T j =175o C
|
|
518 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
124 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
738 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
264 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
58.1 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
31.7 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤7μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1150
|
|
A
|
|
t P ≤ 6 μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =175o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1110
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienības |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.60 |
2.00 |
V
|
T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.60 |
|
T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =175o C |
|
1.50 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 300A,
-di⁄dt=3135A⁄μs,V ĢEN =-15V, Ls=32nH,T j =25o C
|
|
19.1 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
140 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
4.92 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 300A,
-di⁄dt=2516A⁄μs,V ĢEN =-15V Ls=32nH,T j =125o C
|
|
33.7 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
159 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
9.35 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 300A,
-di⁄dt=2204A⁄μs,V ĢEN =-15V Ls=32nH,T j =175o C
|
|
46.8 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
171 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
13.7 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe no Stienis 100 |
T C =100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
21 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, Kontakti līdz čipam |
|
1.80 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums -pret -Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar korpusu (par Di) ode) |
|
|
0.141 0.243 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Gadījums -pret -Siltumapdalītājs (perIGBT )Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: Modulis) |
|
0.085 0.147 0.009 |
|
K/W |
M |
Pievienošanas skrūvs:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
