Īss ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER . 1200V 400A.
Īpašības
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- Zemas slēgšanas zudumi
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
-
Maksimālā savienojuma temperatūra 175 ℃
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Atdalīts medus pins ar DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Hibrīda un elektriskā transportlīdzeklis
- Inverteris motora vadībai
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
T GBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T CN |
Izmantotais kolektors Cu īr |
400 |
A |
T C |
Kolektora strāva @ T F =25o C @ T F =75o C |
400
300
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
800 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T j =175o C |
1500 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
T FN |
Realizētais uz priekšu Cu īr |
400 |
A |
T F |
Dioda nepārtraukta uz priekšu īr |
300 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
800 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
2500 |
V |
IGBT Raksturlielumi T F =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.50 |
1.95 |
V
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.60 |
|
T C = 300A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
1.65 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =16.0mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.3 |
5.8 |
6.3 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T j =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
0.5 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz, V ĢEN =0V |
|
41.4 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
1.16 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =15V |
|
3.11 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC =500V,I C = 300A, Stienis G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
171 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
54 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
433 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
41 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
18.2 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
13.4 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC =500V,I C = 300A, Stienis G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
193 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
54 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
546 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
93 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
25.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
26.8 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC =500V,I C = 300A, Stienis G =1,5Ω,V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
203 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
64 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
628 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
93 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
27.8 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
30.9 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1600
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T F =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.55 |
1.80 |
V
|
T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.50 |
|
T F = 300A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.45 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis =500V,I F = 300A,
-di/dt=3150A/μs,V ĢEN =-15V T j =25o C
|
|
25.7 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
229 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
6.7 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis =500V,I F = 300A,
-di/dt=3150A/μs,V ĢEN =-15V T j =125o C
|
|
49.0 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
380 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
17.1 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis =500V,I F = 300A,
-di/dt=3150A/μs,V ĢEN =-15V T j =150o C
|
|
57.0 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
380 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
20.0 |
|
mJ |
NTC Raksturlielumi T F =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
Stienis 25 |
Nominālais pretestība |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Atkāpe no Stienis 100 |
T C =100 o C r 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Enerģiju
Zudums
|
|
|
|
20.0 |
mW |
B 25/50 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/501/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3375 |
|
K |
B 25/80 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/801/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3411 |
|
K |
B 25/100 |
B vērtība |
Stienis 2=R 25eks [B 25/1001/T 2- 1/(298.15K))] |
|
3433 |
|
K |
Modulis Raksturlielumi T F =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
△p |
Spiediena kritums Dzesēšanas Cir apģērbs
△V/ △t=10,0 dM 3/min ;T F =25o C ;Dzesēšana Šķidrums=50% ūdens/50% etilēnglikols
|
|
100 |
|
bar |
p |
Maksimālais spiediens dzesēšanas sistēmā apģērbs |
|
|
2.5 |
stienis |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
14 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Rūgtumvirsme", Termināls uz čipu |
|
0.80 |
|
mΩ |
Stienis tJF |
Savienojums -pret -Dzesēšana Sūknis (perIGBT ) Savienojuma-dzesēšanas šķidrums (par Di) ode) |
|
|
0.100 0.125 |
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
|
5.0 6.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
1250 |
|
g |
EN
