Īss ievads
IGBT modulis , ražots no STARPOWER. 1200V 450A.
Īpašības
-
Zema V CE (= 40 ) Grīdas IGBT tEHNOLOĢIJA
-
10μs īss īssavienojuma spējas ība
-
V CE (= 40 ) ar pozitīvs temperatūra koeficients
-
Maksimālais junkcijas temperatūra 175o C
-
Zema induktivitāte gadījums
-
Ātra & maiga atpakaļatgriešanās anti-paralēlais FWD
- Izolēta vara bāzes plāksne, izmantojot DBC tehnoloģiju
Tipisks Lietojuma jomas
-
Inverteris motora vajadzībām d rīve
-
AC un DC serva vadība pastiprinātājs
-
Nepārtraukta enerģija piedāvājums
Absolūta Maksimālais Reitingu rādītāji T C =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
±20 |
V |
T C |
Kolektora strāva @ T C =25o C
@ T C = 100o C
|
680
450
|
A |
T CM |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
900 |
A |
P D |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T =175o C |
2173 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots spriegums |
1200 |
V |
T F |
Dioda nepārtrauktajā priekšējā kursorā īrvalde |
450 |
A |
T FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
900 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T jmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T žop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūra Darbības diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t=1 min |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents
Sātumapstrādes spriegums
|
T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =25o C |
|
1.70 |
2.05 |
V
|
T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =125o C |
|
1.95 |
|
T C = 450A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T j =150o C |
|
2.00 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
T C =11.3mA ,V CE =V ĢEN , T j =25o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
T Tips |
Kolektors Griezts -Izslēgt
Pašreizējais
|
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V,
T j =25o C
|
|
|
1.0 |
mA |
T =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T j =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība - - - - |
|
|
1.7 |
|
ω |
C 125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=1MHz,
V ĢEN =0V
|
|
46.6 |
|
mHz |
C pretestība |
Atgriezītais pārvedums
Jauda
|
|
1.31 |
|
mHz |
Q G |
NF |
V ĢEN =- 15...+15V |
|
3.50 |
|
μC |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 450A, Stienis G =1,5Ω,
V ĢEN =±15V, T j =25o C
|
|
328 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
76 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
539 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
108 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
19.5 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
46.6 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 450A, Stienis G =1,5Ω,
V ĢEN =±15V, T j =125o C
|
|
376 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
86 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
595 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
214 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
36.3 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
53.5 |
|
mJ |
t d (par ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C = 450A, Stienis G =1,5Ω,
V ĢEN =±15V, T j =150o C
|
|
380 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
89 |
|
ns |
t d (izslēgt ) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
608 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
232 |
|
ns |
E par |
Slēgt Pārslēgšana
Zaudējumi
|
|
41.7 |
|
mJ |
E izslēgt |
Izslēgtas
Zaudējumi
|
|
55.5 |
|
mJ |
|
T SC
|
SC dati
|
t P ≤ 10 μs,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T j =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
1800
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu
Spriegums
|
T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =125o C |
|
1.65 |
|
T F = 450A,V ĢEN =0V,T j =150o C |
|
1.65 |
|
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A,
-di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =25o C
|
|
29.4 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
275 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
13.2 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A,
-di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =125o C
|
|
68.8 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
342 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
31.6 |
|
mJ |
Q stienis |
Atgūstamā nodeva |
V CC = 600V,I F = 450A,
-di/dt=4370A/μs,V ĢEN =- 15 V, T j =150o C
|
|
79.6 |
|
μC |
T RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
354 |
|
A |
E rec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
35.8 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C =25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
L CE |
Neatklāta induktantība |
|
|
20 |
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā "Slēpuma pretestība" nce, termināls uz čipu |
|
0.35 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums ar lietu (par IGB) T)
Savienojums ar korpusu (par Di) ode)
|
|
|
0.069
0.108
|
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT)
Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu temperatūras līmeni. diodes)
Izmērs: Modulis)
|
|
0.033
0.051
0.010
|
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5
3.0
|
|
5.0
5.0
|
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
300 |
|
g |
EN
