Īsa ievads
IGBT modulis ,ražota STARPOWER .1200V 600A.
Funkcijas
- Zema VCE (sat) trenažas IGBT tehnoloģija
- 10 μs īslaicīgas sakārtošanas spēja
- VCE (sat) ar pozitīvu temperatūras koeficientu
- Maksimālā savienojuma temperatūra 175oC
- Zema induktivitātes kārta
- Ātrs un mīksts atveseļošanās ātrums pret paralēlu FWD
- Atdalīts meda pamats, izmantojot HPS DBC tehnoloģiju
Tipiskas lietošanas metodes
- Inverteris motora vadībai
- AC un DC servo dzinēju pastiprinātājs
- Nepārtraukta strāva nodrošināšana
Absolūta Maksimāli Reitingu rādītāji T F =25o C ja norādīts atzīmēts
IGBT
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V Tips |
Sildītājs-izsildītājs |
1200 |
V |
V =150 °C |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums
Pārējo vārtu emitenta spriegums
|
±20 ±30 |
V |
Es C |
Kolektora strāva @ T C=25o C @ T C=100o C |
1096
600
|
A |
Es Cm |
Impulsu kolektora strāva t p =1ms |
1200 |
A |
PD |
Maksimālā jauda Dissipācija @ T vj =175o C |
3947 |
V |
Dioda
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
V RRM |
Atkārtojams maksimālais atkārtots volts vecums |
1200 |
V |
Es F |
Dioda nepārtrauktais priekšējais strāva ent |
600 |
A |
Es FM |
Diodes maksimālā priekšējā strāva t p =1ms |
1200 |
A |
Modulis
Sīkāku informāciju |
Apraksts |
Vērtību |
Vienība |
T vjmax |
Maksimālā savienojuma temperatūra |
175 |
o C |
T vjop |
Darbības savienojuma temperatūra |
-40 līdz +150 |
o C |
T STG |
Uzglabāšanas temperatūras diapazons |
-40 līdz +125 |
o C |
V ISO |
Izolācijas spriegums RMS,f=50Hz,t =1 min |
4000 |
V |
IGBT Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V CE (sat)
|
Saņēmējs - emitents Sātumapstrādes spriegums
|
Es C= 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
Es C= 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =125o C |
|
2.05 |
|
Es C= 600A,V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums T vj =150o C |
|
2.15 |
|
V ĢEN (th) |
Vārda emitenta slieksnis Spriegums |
Es C=24.0mA ,V CE =V ĢEN , T vj =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
Es Tips |
Kolektors Griezts – Izslēgt Pašreizējais |
V CE =V Tips ,V ĢEN =0V, T vj =25o C |
|
|
1.0 |
mA |
Es =150 °C |
Izslēguma emitenta noplūde Pašreizējais |
V ĢEN =V =150 °C ,V CE =0V, T vj =25o C |
|
|
400 |
nA |
Stienis Gint |
Iekšējā vārtu pretestība |
|
|
1.25 |
|
ω |
C125 °C |
Ies |
V CE =25V, f=100kHz, V ĢEN =0V |
|
64.7 |
|
mHz |
Cpretestība |
Atgriezītais pārvedums Jauda |
|
1.88 |
|
mHz |
J G |
NF |
V ĢEN =-15...+15V |
|
5.38 |
|
μC |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 600A, Stienis G=1,5Ω, LS =50nH , V ĢEN =±15V,T vj =25o C
|
|
314 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
105 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
527 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
151 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
63.7 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
53.3 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 600A, Stienis G=1,5Ω, LS =50nH , V ĢEN =±15V,T vj =125o C
|
|
350 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
117 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
591 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
315 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
96.5 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
72.2 |
|
mJ |
t d (ieslēgts ) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
V CC = 600V,I C= 600A, Stienis G=1,5Ω, LS =50nH , V ĢEN =±15V,T vj =150o C
|
|
359 |
|
ns |
t stienis |
Atkāpšanās laiks |
|
120 |
|
ns |
t d(izslēgt) |
Izslēgt Atlikušais laiks |
|
604 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
328 |
|
ns |
Eieslēgts |
Slēgt Pārslēgšana Zaudējumi |
|
105 |
|
mJ |
Eizslēgt |
Izslēgtas Zaudējumi |
|
75.6 |
|
mJ |
|
Es SC
|
SC dati
|
t P≤10μs, V ĢEN kolektora-emiteru piesātinājums
T vj =150o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V
|
|
2400
|
|
A
|
Dioda Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Testēšanas apstākļi |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
|
V F
|
Diode uz priekšu Spriegums |
Es F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =25o C |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
Es F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =125o C |
|
1.65 |
|
Es F = 600A,V ĢEN =0V,T vj =150o C |
|
1.60 |
|
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 600A,
-di/dt=5130A/μs, L S =50nH, V ĢEN =-15V,T vj =25o C
|
|
38.6 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
313 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
10.8 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 600A,
-di/dt=4440A/μs, L S =50nH, V ĢEN =-15V,T vj =125o C
|
|
76.1 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
368 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
22.5 |
|
mJ |
J stienis |
Atgūstamā nodeva |
V Stienis = 600V,I F = 600A,
-di/dt=4240A/μs, L S =50nH, V ĢEN =-15V,T vj =150o C
|
|
88.9 |
|
μC |
Es RM |
Augstais augstums
Atgūšanas strāvas
|
|
387 |
|
A |
Erec |
Atgriezeniska atgūšana Enerģija |
|
26.2 |
|
mJ |
Modulis Raksturlielumi T C=25o C ja norādīts atzīmēts
Sīkāku informāciju |
Parametrs |
Min. |
Tips. |
Max. |
Vienība |
LCE |
Neatklāta induktantība |
|
20 |
|
nH |
Stienis CC+EE |
Modulā ir svina pretestība, no terminala līdz čipu |
|
0.42 |
|
mΩ |
Stienis tJC |
Savienojums – līdz – Gadījums (perIGBT ) Savienojums ar kārtu (par D) jods) |
|
|
0.038 0.068 |
K/W |
|
Stienis tCH
|
Izmērs: IGBT) Izmantojiet šo metodi, lai noteiktu, vai ir nepieciešams izmantot elektrisko ierīci. r Diode) Izmērs: (atkārtojiet) |
|
0.031 0.056 0.010 |
|
K/W |
M |
Terminala savienojuma griezes moments, M6 skrūvis Monta griezes moments, M6 skrūvis |
2.5 3.0 |
|
5.0 5.0 |
N.m. |
G |
Svars no Modulis |
|
320 |
|
g |
EN
