Īss ievads
Augstsprieguma, vienas slēdža IGBT moduļi, ko ražo CRRC. 3300V 1000A.
Atslēga Parametri
V Tips |
3300 V |
V CE (= 40 ) |
(Typ) 2.40 V |
I C |
(Max) 1000 A |
I C( RM ) |
(Max) 2000 A |
Tipiskas lietošanas metodes
- Vilces piedziņas
- Motora vadības ierīces
-
Gudrs Tīkls
-
Augsts Uzticamība Invertors
Tipiskas lietošanas metodes
- Vilces piedziņas
- Motors
- Motora vadības ierīces
- Gudrā tīkls
- Augstas uzticamības invertors
Absolūtā maksimālā vērtība
(Simbols) |
(Parametrs) |
(Testa apstākļi) |
(vērtība) |
(Vienība) |
VCES |
Sildītājs-izsildītājs |
VGE = 0V, TC = 25 °C |
3300 |
V |
VGES |
Izslēgšanas-izslēgšanas spriegums |
TC= 25 °C |
± 20 |
V |
I C |
Kolektors-izsūknis strāvas |
TC = 95 °C |
1000 |
A |
IC(PK) |
Sildītāja maksimālais strāvas daudzums |
t P= 1ms |
2000 |
A |
P max |
Maks. tranzistora jaudas izmešana |
Tvj = 150°C, TC = 25 °C |
10.4 |
kW |
I 2t |
Diode I2t |
VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C |
320 |
kA2s |
Visol |
Izolācijas spriegums – uz moduli |
Kopējie termināļi uz pamatplates),
AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C
|
6000 |
V |
Q PD |
Daļēja izlāde – uz moduli |
IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C |
10 |
pC |
Elektriskās īpašības
(Simbols) |
(Parametrs) |
(Testa apstākļi) |
(Min) |
(Typ) |
(Max) |
(Vienība) |
|
I CES
|
Kolektors ir pārklāts ar strāvu
|
VGE = 0V,VCE = VCES |
|
|
1 |
mA |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C |
|
|
60 |
mA |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C |
|
|
100 |
mA |
I GES |
Izplūdes strāvas
|
VGE = ±20V, VCE = 0V |
|
|
1 |
μA |
VGE (TH) |
Izmantošanas ātrums |
I C= 80mA, VGE= VCE |
5.50 |
6.10 |
7.00 |
V |
|
VCE
|
(*1) (sāt)
|
Sātums kolektorā un emitentā
spriegums
|
VGE= 15V, I C= 1000A |
|
2.40 |
2.90 |
V |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C |
|
2.95 |
3.40 |
V |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C |
|
3.10 |
3.60 |
V |
I F |
Dioda virsma uz priekšu |
DC |
|
1000 |
|
A |
I FRM |
Dioda maksimālais tālvadības strāvas daudzums
|
t P = 1ms |
|
2000 |
|
A |
|
VF(*1)
|
Dioda priekšējā spriegums
|
I F= 1000A |
|
2.10 |
2.60 |
V |
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C |
|
2.25 |
2.70 |
V |
C ies |
Ies
|
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
170 |
|
mHz |
Q g |
NF |
vārsta uzlāde |
|
17 |
|
μC |
C res |
Apgādes pārneses kapacitāte |
VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz |
|
4 |
|
mHz |
L M |
Moduļa induktivitāte
|
|
|
15 |
|
nH |
R INT |
Iekšējā tranzistora pretestība |
|
|
165 |
|
μΩ |
|
I SC
|
Īssavienojuma strāva, ISC |
Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs,
VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9
|
|
3900
|
|
A
|
td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
I C =1000A
VCE =1800V
C GE = 220nF
L ~ 150nH
VGE = ±15V
RG(ON) = 1.5Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
1800 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
530 |
|
ns |
E OFF |
Izslēgšanas enerģijas zudumi |
|
1600 |
|
mJ |
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
|
680 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
320 |
|
ns |
EON |
Ieslēgšanas enerģijas zudums |
|
1240 |
|
mJ |
Q rr |
Diodes reversās atgūšanas uzlāde |
I F =1000A
VCE =1800V
diF/dt =3300A/us
|
|
780 |
|
μC |
I rr |
Diodes reversās atgūšanas strāva |
|
810 |
|
A |
E rec |
Diodes reversās atgūšanas enerģija |
|
980 |
|
mJ |
td (izslēgt) |
Izslēgšanas kavējuma laiks |
I C =1000A
VCE =1800V
C GE = 220nF
L ~ 150nH
VGE = ±15V
RG(ON) = 1.5Ω
RG(OFF)= 2.2Ω
|
|
1940 |
|
ns |
t f |
Nolieku laiks |
|
580 |
|
ns |
E OFF |
Izslēgšanas enerģijas zudumi |
|
1950 |
|
mJ |
(td) |
Slēgšanas kavējuma laiks |
|
660 |
|
ns |
t r |
Atkāpšanās laiks |
|
340 |
|
ns |
EON |
Ieslēgšanas enerģijas zudums |
|
1600 |
|
mJ |
Q rr |
Diodes reversās atgūšanas uzlāde |
I F =1000A
VCE =1800V
diF/dt =3300A/us
|
|
1200 |
|
μC |
I rr |
Diodes reversās atgūšanas strāva |
|
930 |
|
A |
EN
