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간략한 소개
IGBT 모듈 ,CRRC에서 생산한 고전압 단일 스위치 IGBT 모듈. 3300V 400A.
기능
| ●SPT+저하 스위치용 칩 세트 손실 | 
| ● 낮은 V CEsat | 
| ●저속 운전 전력 | 
| ●A 높은 용량의 lSiC 기판 전력 c 자전거 타기 능력 y | 
| ●저온용 AlN 기판 저항 | 
일반적 응용
| ●트랙션 드라이브 | 
| ●DC 초퍼 | 
| ●중압 전압 전자기기/변환기 | 
최대 등급 값
| 매개변수 | 상징 | 조건 | 분 | 최대 | UNIT | 
| 컬렉터-이미터 전압 | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C | 
 | 3300 | V | 
| DC 집합 전류 | IC | TC =80°C | 
 | 400 | A | 
| 피크 컬렉터 전류 | ICM | tp=1ms,Tc=80°C | 
 | 800 | A | 
| 게이트-이미터 전압 | VGES | 
 | -20 | 20 | V | 
| 총 전력 손실 | Ptot | TC =25°C,스위치당(IGBT) | 
 | 7100 | W | 
| 동전 전류 | IF | 
 | 
 | 400 | A | 
| 전류 최고 | IFRM | tP=1ms | 
 | 800 | A | 
| 전류 | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, 반사인파 | 
 | 3000 | A | 
| IGBT 단회로 SOA | tpsc | VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C | 
 | 10 | μs | 
| 격리 전압 | Visol | 1분, f=50Hz | 
 | 10200 | V | 
| 접점 온도 | TVj | 
 | 
 | 150 | °C | 
| 접합 작동 온도 | TVj (op) | 
 | -50 | 150 | °C | 
| 케이스 온도 | Tc | 
 | -50 | 125 | °C | 
| 보관 온도 | TSTG | 
 | -50 | 125 | °C | 
| 
 장착 모터 | Ms | 원형 열기 ,M6 나사 | 4 | 6 | 
 
 Nm | 
| MT1 | 주요 터미널 ,M8 나사 | 8 | 10 | 
IGBT 특성 값
| 매개변수 | 상징 | 조건 | 분 | 유형 | 최대 | UNIT | |
| 수집기 (- 발산기) 분산전압 | V ((BR) CES | VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C | 3300 | 
 | 
 | V | |
| 수집기-출사기 포화 전압 | VCEsat | IC =400A, VGE =15V | Tvj= 25°C | 
 | 3.0 | 
 | V | 
| TVj=125°C | 
 | 3.6 | 
 | V | |||
| 집합 차단 전류 | ICES | VCE =3300V, VGE =0V | Tvj= 25°C | 
 | 
 | 5 | mA | 
| TVj=125°C | 
 | 
 | 50 | mA | |||
| 게이트 누설 전류 | IGES | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 | 
 | 500 | 부적절함 | |
| 포트-에미터 임계 전압 | VGE (th) | IC = 80mA,VCE = VGE, Tvj = 25°C | 5.5 | 
 | 7.5 | V | |
| 게이트 요금 | 본부 | IC =400A,VCE =1800V,VGE =-15V... 15V | 
 | 4.0 | 
 | μC | |
| 입력 용량 | 시스 | 
 
 VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C | 
 | 65 | 
 | 
 
 
 nF | |
| 출력 용량 | 코스 | 
 | 3.7 | 
 | |||
| 역전환 용량 | 크레스 | 
 | 0.8 | 
 | |||
| 턴온 지연 시간 | td(on) | 
 
 
 
 VCC=1800V IC=400A RG =2.3Ω, VGE =±15V, Lσ=280nH, 感性负载 | Tvj = 25 °C | 
 | 650 | 
 | 
 
 nS | 
| Tvj = 125 °C | 
 | 750 | 
 | ||||
| 상승 시간 | tr | Tvj = 25 °C | 
 | 400 | 
 | ||
| Tvj = 125 °C | 
 | 470 | 
 | ||||
| 차단 지연 시간 | td(off) | Tvj = 25 °C | 
 | 1600 | 
 | 
 
 nS | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1800 | 
 | ||||
| 하강 시간 | tF | Tvj = 25 °C | 
 | 1100 | 
 | ||
| Tvj = 125 °C | 
 | 1200 | 
 | ||||
| 턴온 스위칭 손실 에너지 | EON | Tvj = 25 °C | 
 | 1400 | 
 | mJ | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1800 | 
 | ||||
| 턴오프 스위칭 손실 에너지 | EOFF | Tvj = 25 °C | 
 | 1300 | 
 | mJ | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1700 | 
 | ||||
| 단락 전류 | ISC | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V | 
 | 2500 | 
 | A | |
다이오드 특성 값
| 매개변수 | 상징 | 조건 | 분 | 유형 | 최대 | UNIT | |
| 전압 | VF | IF = 400A | Tvj = 25 °C | 
 | 2.3 | 2.6 | V | 
| Tvj = 125 °C | 
 | 2.35 | 2.6 | ||||
| 역 회전 전류 | Irr | 
 VCC=1800V IC=400A RG =2.3Ω, VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C | 
 | 900 | 
 | A | 
| Tvj = 125 °C | 
 | 1000 | 
 | ||||
| 회복 전하 | Qrr | Tvj = 25 °C | 
 | 700 | 
 | μC | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1000 | 
 | ||||
| 역회복 시간 | trr | Tvj = 25 °C | 
 | 850 | 
 | nS | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 2200 | 
 | ||||
| 역 회수 에너지 | Erec | Tvj = 25 °C | 
 | 850 | 
 | mJ | |
| Tvj = 125 °C | 
 | 1300 | 
 | ||||

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