GD200CEX120C8SN,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

가치

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C @ T C=100o C

363

200

A

나 CRM

반복적 최고 수집가 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

400

A

PD

최대 전력 분산 @ T vj =175o C

1293

W

상징

설명

가치

단위

볼트 RRM

반복적 피크 역전압 연령

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 전방 전류 엔트

200

A

나 FRM

반복적 최고 앞으로 현재 tp 제한적 작성자 T vjop

400

A

상징

설명

가치

단위

T vjmax

최대 분기 온도

175

o C

T vjop

작동점 온도

-40에서 +150

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS, f=50Hz,t =1분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자 포화전압

나 C=200A,V GE =15V, T vj =25o C

1.75

2.20

볼트

나 C=200A,V GE =15V, T vj =125o C

2.00

나 C=200A,V GE =15V, T vj =150o C

2.05

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=8.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다 현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V, T vj =25o C

1.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T vj =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.0

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz, 볼트 GE =0V

18.6

nF

Cres

역전환 용량

0.52

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =-15 ...+15V

1.40

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=200A, R 지 =2.0Ω, Ls=50nH, 볼트 GE =±15V, T vj =25o C

140

nS

t r

상승 시간

31

nS

t d(off)

그림 지연 시간

239

nS

t f

하강 시간

188

nS

E켜짐

켜 전환 손실

11.2

mJ

E끄다

그림 전환 손실

13.4

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=200A, R 지 =2.0Ω, Ls=50nH, 볼트 GE =±15V, T vj =125o C

146

nS

t r

상승 시간

36

nS

t d(off)

그림 지연 시간

284

nS

t f

하강 시간

284

nS

E켜짐

켜 전환 손실

19.4

mJ

E끄다

그림 전환 손실

18.9

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=200A, R 지 =2.0Ω, Ls=50nH, 볼트 GE =±15V, T vj =150o C

148

nS

t r

상승 시간

37

nS

t d(off)

그림 지연 시간

294

nS

t f

하강 시간

303

nS

E켜짐

켜 전환 손실

21.7

mJ

E끄다

그림 전환 손실

19.8

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤10μs, 볼트 GE =15V,

T vj =150o C,V CC =800V, 볼트 CEM ≤1200V

800

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

유닛

볼트 F

다이오드 앞 전압

나 F =200A,V GE =0V,T vj =25o C

1.85

2.30

볼트

나 F =200A,V GE =0V,T vj =125o C

1.90

나 F =200A,V GE =0V,T vj =150o C

1.95

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =200A,

-di⁄dt=5710A⁄μs, Ls=50nH, 볼트 GE =-15V, T vj =25o C

20.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

220

A

Erec

역회복 에너지

7.5

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =200A,

-di⁄dt=4740A⁄μs, Ls=50nH, 볼트 GE =-15V, T vj =125o C

34.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

209

A

Erec

역회복 에너지

12.9

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =200A,

-di⁄dt=4400A⁄μs, Ls=50nH, 볼트 GE =-15V, T vj =150o C

38.7

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

204

A

Erec

역회복 에너지

14.6

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

R thJC

교차점 -~까지 -사례 (perIGBT ) 커스 (D) 에 대한 연결 오드)

0.116 0.185

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT) 케이스-온도 싱크장 (pe) r 다이오드) 케이스-열기 싱크장 (M당) 오두엘)

0.150 0.239 0.046

K/W

분

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 스크루브 M5

2.5 2.5

3.5 3.5

N.M

지

무게 의 모듈

200

지