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특징
일반적 응용 프로그램
절대 최대 등급 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
IGBT
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
V CES |
컬렉터-이미터 전압 |
1200 |
V |
V GES |
게이트-이미터 전압 |
±20 |
V |
I C |
콜렉터 전류 @ T C =25 o C @ T C = 110o C |
50 25 |
A |
I 센티미터 |
펄스 콜렉터 전류 t 전 t에 제한되어 있습니다 jmax |
100 |
A |
전 D |
최대 전력 분산 @ T j =175 o C |
573 |
W |
다이오드
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
V RRM |
반복 피크 역전압 |
1200 |
V |
I F |
다이오드 연속 순방향 전류 @ T C = 110o C |
25 |
A |
I Fm |
다이오드 최대 앞으로 전류 t 전 제한된 에 의해 T jmax |
100 |
A |
사소한 것
상징 |
설명 |
가치 |
UNIT |
T jop |
작동점 온도 |
-40에서 +175 |
o C |
T STG |
보관 온도 범위 |
-55에서 +150 |
o C |
T S |
용접 온도 1.6mm m 경우 10s |
260 |
o C |
M |
장착 토크, 나사 M3 |
0.6 |
N.M |
IGBT 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
V CE (sat) |
수집자로부터 발산자 포화전압 |
I C =25A, V GE =15V, T j =25 o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
I C =25A, V GE =15V, T j =125 o C |
|
1.95 |
|
|||
I C =25A, V GE =15V, T j =150 o C |
|
2.00 |
|
|||
V GE (번째 ) |
게이트 발산자 문 전압 |
I C =0.63 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
수집가 절단 -끄다 전류 |
V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C |
|
|
1.0 |
mA |
I GES |
게이트 발사자 누출 전류 |
V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C |
|
|
400 |
부적절함 |
R Gint |
내부 게이트 저항 ance |
|
|
0 |
|
ω |
C ies |
입력 용량 |
V CE =25V,f=1Mhz, V GE =0V |
|
2.59 |
|
nF |
C res |
역전환 용량 |
|
0.07 |
|
nF |
|
Q G |
게이트 요금 |
V GE =-15...+15V |
|
0.19 |
|
μC |
t d (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =25A, R G =20Ω,V GE =±15V, T j =25 o C |
|
28 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
17 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
196 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
185 |
|
nS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
1.71 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
1.49 |
|
mJ |
|
t d (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =25A, R G =20Ω,V GE =±15V, T j =125 o C |
|
28 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
21 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
288 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
216 |
|
nS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
2.57 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
2.21 |
|
mJ |
|
t d (에 ) |
턴온 지연 시간 |
V CC =600V,I C =25A, R G =20Ω,V GE =±15V, T j =150 o C |
|
28 |
|
nS |
t r |
상승 시간 |
|
22 |
|
nS |
|
t d (끄다 ) |
그림 지연 시간 |
|
309 |
|
nS |
|
t f |
하강 시간 |
|
227 |
|
nS |
|
이 에 |
켜 Switching 손실 |
|
2.78 |
|
mJ |
|
이 끄다 |
그림 전환 손실 |
|
2.42 |
|
mJ |
|
I SC |
SC 데이터 |
t 전 ≤ 10μs,V GE =15V, T j =150 o C,V CC =900V, V CEM ≤1200V |
|
100 |
|
A |
다이오드 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
시험 조건 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
V F |
다이오드 앞 전압 |
I F =25A,V GE =0V,T j =25 o C |
|
2.20 |
2.65 |
V |
I F =25A,V GE =0V,T j = 125o C |
|
2.30 |
|
|||
I F =25A,V GE =0V,T j = 150o C |
|
2.25 |
|
|||
Q r |
회복 전하 |
V R =600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j =25 o C |
|
1.43 |
|
μC |
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
34 |
|
A |
|
이 rec |
역회복 에너지 |
|
0.75 |
|
mJ |
|
Q r |
회복 전하 |
V R =600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 125o C |
|
2.4 |
|
μC |
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
42 |
|
A |
|
이 rec |
역회복 에너지 |
|
1.61 |
|
mJ |
|
Q r |
회복 전하 |
V R =600V,I F =25A, -di/dt=880A/μs,V GE =-15V T j = 150o C |
|
2.6 |
|
μC |
I RM |
피크 역전 회복 전류 |
|
44 |
|
A |
|
이 rec |
역회복 에너지 |
|
2.10 |
|
mJ |
사소한 것 특성 T C =25 o C 아니면 그렇지 않으면 기재됨
상징 |
매개변수 |
최소. |
전형적인. |
최대. |
UNIT |
R thJC |
부문별 (IGB당) T) 커스 (D) 에 대한 연결 오드) |
|
|
0.262 0.495 |
K/W |
R thJA |
환경과의 연결 |
|
40 |
|
K/W |
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