GD200HFU120C2S,IGBT 모듈,STARPOWER

상징

설명

값

단위

볼트 CES

컬렉터-이미터 전압

1200

볼트

볼트 GES

게이트-이미터 전압

±20

볼트

나 C

콜렉터 전류 @ T C=25o C

@ T C=65o C

262

200

A

나 Cm

펄스 콜렉터 전류 t p =1ms

400

A

PD

최대 전력 분산 @ T =150o C

1315

W

상징

설명

값

단위

볼트 RRM

반복 피크 역전압

1200

볼트

나 F

다이오드 연속 전면 커 임대료

200

A

나 Fm

다이오드 최대 순방향 전류 t p =1ms

400

A

상징

설명

값

단위

T jmax

최대 분기 온도

150

o C

T jop

작동점 온도

-40에서 +125

o C

T STG

보관 온도 범위

-40에서 +125

o C

볼트 ISO

격리 전압 RMS,f=50Hz,t=1 분

2500

볼트

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 CE (sat)

수집자로부터 발산자

포화전압

나 C=200A,V GE =15V, T j =25o C

3.00

3.45

볼트

나 C=200A,V GE =15V, T j =125o C

3.80

볼트 GE (th)

게이트 발산자 문 전압

나 C=2.0mA ,볼트 CE =볼트 GE , T j =25o C

4.5

5.4

6.5

볼트

나 CES

수집가 절단 -끄다

현재

볼트 CE =볼트 CES ,볼트 GE =0V,

T j =25o C

5.0

mA

나 GES

게이트 발사자 누출 현재

볼트 GE =볼트 GES ,볼트 CE =0V, T j =25o C

400

부적절함

R Gint

내부 게이트 저항 ance

1.3

ω

Cies

입력 용량

볼트 CE =25V,f=1Mhz,

볼트 GE =0V

13.0

nF

Cres

역전환

용량

0.85

nF

문의 지

게이트 요금

볼트 GE =- 15...+15V

2.10

μC

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=200A, R 지 =4.7Ω,V GE =±15V, T j =25o C

87

nS

t r

상승 시간

40

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

451

nS

t f

하강 시간

63

nS

E켜짐

켜 전환

손실

6.8

mJ

E끄다

그림 전환

손실

11.9

mJ

t d (켜짐 )

턴온 지연 시간

볼트 CC =600V,I C=200A, R 지 =4.7Ω,V GE =±15V, T j = 125o C

88

nS

t r

상승 시간

44

nS

t d (끄다 )

그림 지연 시간

483

nS

t f

하강 시간

78

nS

E켜짐

켜 전환

손실

11.4

mJ

E끄다

그림 전환

손실

13.5

mJ

나 SC

SC 데이터

t P≤ 10μs,V GE =15V,

T j =125o C,V CC =900V, 볼트 CEM ≤1200V

1300

A

상징

사양

시험 조건

최소.

전형적인.

최대.

단위

볼트 F

다이오드 앞

전압

나 F =200A,V GE =0V,T j =25o C

1.95

2.40

볼트

나 F =200A,V GE =0V,T j =125o C

2.00

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =25o C

13.3

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

236

A

Erec

역회복 에너지

6.6

mJ

문의 r

회복 전하

볼트 R =600V,I F =200A,

-di/dt=4600A/μs,V GE =- 15V T j =125o C

23.0

μC

나 RM

피크 역전

회복 전류

269

A

Erec

역회복 에너지

10.5

mJ

상징

사양

최소.

전형적인.

최대.

단위

LCE

방랑 인덕턴스

30

nH

R CC+EE

모듈 리드 저항, 터미널에서 칩으로

0.35

mΩ

R thJC

부문별 (IGB당) T)

부대와 부대 (D당) 요오드)

0.095

0.202

K/W

R thCH

케이스-히트싱크 (per IGBT)

케이스-히트싱크 (p er 다이오드)

케이스-히트싱크 (per 모듈)

0.029

0.063

0.010

K/W

분

단자 연결 토크, 스크루브 M5 장착 토크, 나사 M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

지

무게 의 모듈

300

지