GD600HFX120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20

±30

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=90o C

873

600

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

2727

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.75

2.20

V

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.00

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.05

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=24.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

55.9

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.57

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.20

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1,5Ω

, L Сек =34нГ, В ГЭ =±15В,Т ж =25o C

109

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

469

н

t f

Күз мезгілі

68

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

42.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

46.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1.5Ω,

LСек =34nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =125o C

143

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

597

н

t f

Күз мезгілі

107

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

56.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

70.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G=1.5Ω,

LСек =34nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =150o C

143

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

637

н

t f

Күз мезгілі

118

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

61.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

77.8

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.95

2.40

V

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

2.05

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

2.10

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, LСек =34nH ,T ж =25o C

58.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

276

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.9

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, LСек =34nH ,T ж =125o C

109

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

399

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

41.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, LСек =34nH ,T ж =150o C

124

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

428

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

48.5

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.055

0.089

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032

0.052

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g