GD600HFX120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

Өткінші қақпа-эмиттер кернеуі

±20

±30

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц =90 o Ц

873

600

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

2727

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц =600A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.75

2.20

V

I Ц =600A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.00

I Ц =600A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.05

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 24,0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

1.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

0.7

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

55.9

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.57

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.20

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R G =1,5Ω

, L S =34нГ, В ГЭ =±15В,Т ж =25 o Ц

109

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

469

н

t f

Күз мезгілі

68

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

42.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

46.0

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R G =1.5Ω,

L S = 34 nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =125 o Ц

143

н

t r

Күтерілу уақыты

62

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

597

н

t f

Күз мезгілі

107

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

56.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

70.5

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =600А, R G =1.5Ω,

L S = 34 nH ,

V ГЭ =±15В,Т ж =150 o Ц

143

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

637

н

t f

Күз мезгілі

118

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

61.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

77.8

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.95

2.40

V

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц

2.05

I F =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

2.10

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, L S = 34 nH ,T ж =25 o Ц

58.9

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

276

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.9

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, L S = 34 nH ,T ж =125 o Ц

109

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

399

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

41.8

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-di/dt=4300A/μs,V ГЭ =- 15В, L S = 34 nH ,T ж =150 o Ц

124

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

428

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

48.5

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.055

0.089

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Корпус-радиатор (pe r Диод)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032

0.052

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g