Y50ZKD, жылдам қалпына келтіру диоды

I _T(AV)

1208А

V _РРМ

2200V 2500V

2800V 3000V

Символ

СӘРЕПТІК

Сынақ шарттары

Tj( ℃ )

Мәні

Бірлік

Минуты

ТҮР

Макс

IF(AV)

Орташа алға қарай ағым

180° жартылай синусоидалық толқын 50Гц Екі жақты салқындатылған,

TC=85 ℃

150

1208

А

VRRM

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Қайталау шыңы ағым

v-де _РРМ

150

100

mА

IFSM

Сурж алға ағым

10мс жартылай синусоидалық толқын VR=0.6V _РРМ

150

16

kA

I2t

Фузия координациясы үшін I2t

1280

А ²s*10 ³

VFO

Төменгі кернеу

150

1.62

V

радио жабайынан кейін

Алға қарай еңіс кедергісі

0.36

mΩ

VFM

Шың алға қарай кернеу

ITM=1500A, F=24kN

25

2.80

V

IRM

Кері Қалпына Келтіру Ағымы

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

166

А

trr

Кері Қалпына Келтіру Уақыты

7

μs

Qrr

Алу ақысы

500

650

μC

Rth(j-c)

Термиялық кедергі Джункиядан корпусқа

180-де ° синусоидалық, екі жақты салқындатылған Қыспа күші 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Термиялық кедергі корпусынан жылу алмастырғышқа

0.005

Fm

Орнату күші

19

26

кН

TVj

Байланыс температурасы

-40

150

℃

ТСТГ

Сақталған температура

-40

160

℃

Wt

Салмақ

440

g

Нысан

ZT50cT