GD100HFX170C1S,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

173

112

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

A

PD

Максимум Күш Диссипация @ T vj =175o C

666

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=100A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

7.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

12.0

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.94

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =25o C

272

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

369

н

t f

Күз мезгілі

389

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

28.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =125o C

296

н

t r

Күтерілу уақыты

66

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

448

н

t f

Күз мезгілі

576

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

40.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

24.1

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=100A, R G=4.7Ω,V ГЭ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =150o C

302

н

t r

Күтерілу уақыты

69

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

463

н

t f

Күз мезгілі

607

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

43.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

25.7

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V

V КЕМ ≤1700В

400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =100A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V ГЭ =-15В Ls=60нГ,

T vj =25o C

23.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

85

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di/дt=1020A/мкс,V ГЭ =-15В Ls=60нГ,

T vj =125o C

36.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

88

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.1

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di/дt=960A/мкс,V ГЭ =-15В Ls=60нГ,

T vj =150o C

46.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

91

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

24.6

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.65

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.225 0.391

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT )Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.158 0.274 0.050

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

150

g