GD100HFX170C1S,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

173

112

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

А

P D

Максимум Күш Диссипация @ T vj =175 o Ц

666

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

100

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

200

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.25

I Ц =100A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =4,0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

7.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

12.0

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

0.94

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =25 o Ц

272

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

369

н

t f

Күз мезгілі

389

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

28.2

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.4

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =125 o Ц

296

н

t r

Күтерілу уақыты

66

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

448

н

t f

Күз мезгілі

576

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

40.1

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

24.1

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =100A, R G =4.7Ω,V ГЭ =±15В, Ls=60нГ,

T vj =150 o Ц

302

н

t r

Күтерілу уақыты

69

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

463

н

t f

Күз мезгілі

607

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

43.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

25.7

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o Ц ,V CC =1000V

V КЕМ ≤1700В

400

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =100A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.80

2.25

V

I F =100A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.90

I F =100A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.95

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di/dt=1290A/μs,V ГЭ =-15В Ls=60нГ,

T vj =25 o Ц

23.5

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

85

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.5

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di/дt=1020A/мкс,V ГЭ =-15В Ls=60нГ,

T vj =125 o Ц

36.6

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

88

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

18.1

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =100A,

-di/дt=960A/мкс,V ГЭ =-15В Ls=60нГ,

T vj =150 o Ц

46.2

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

91

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

24.6

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.65

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.225 0.391

К/W

R тХ

Кейс -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT )Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.158 0.274 0.050

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмақ туралы Модуль

150

g