DG120X07T2, IGBT дискрет, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =135 o Ц

240

120

А

I CM

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі қатысушылар T jmax

360

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

893

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

650

V

I F

Диоданың үздіксіз алға ағымдағы @ T Ц =25 o Ц @ Т Ц =80 o Ц

177

120

А

I Fm

Диод Максимум Алға Жүк t p шектеулі қатысушылар T jmax

360

А

Символ

Сипаттама

Мәндер

Бірлік

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

o Ц

T С

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 мм үшін 10 секунд

260

o Ц

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =120A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.40

1.85

V

I Ц =120A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

1.70

I Ц =120A,V ГЭ =15В, T ж =175 o Ц

1.75

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =1.92 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.1

5.8

6.5

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

250

uA

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

200

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

/

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

14.1

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.42

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.86

uC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =120A, R G =7.5Ω,

V ГЭ =±15В, L С =40 nH ,T ж =25 o Ц

68

н

t r

Күтерілу уақыты

201

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

166

н

t f

Күз мезгілі

54

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.19

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.56

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =120A, R G =7.5Ω,

V ГЭ =±15В, L С =40 nH ,T ж =150 o Ц

70

н

t r

Күтерілу уақыты

207

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

186

н

t f

Күз мезгілі

106

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.70

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.89

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I Ц =120A, R G =7.5Ω,

V ГЭ =±15В, L С =40 nH ,T ж =175 o Ц

71

н

t r

Күтерілу уақыты

211

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

195

н

t f

Күз мезгілі

139

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.80

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.98

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤6μс, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =300В, V КЕМ ≤650В

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =120A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.65

2.10

V

I F =120A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц

1.60

I F =120A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 75o Ц

1.60

t рр

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В L С =40 nH ,T ж =25 o Ц

184

н

Q r

Алынған айыппұл

1.65

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

17.2

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.23

мЖ

t рр

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В L С =40 nH ,T ж =150 o Ц

221

н

Q r

Алынған айыппұл

3.24

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

23.1

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.53

мЖ

t рр

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В L С =40 nH ,T ж =175 o Ц

246

н

Q r

Алынған айыппұл

3.98

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

26.8

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.64

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.168 0.369

К/W

R тЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W