DG120X07T2, IGBT дискрет, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

650

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=135o C

240

120

A

IСм

Импульстік Жинақтаушы Жүк t p шектеулі арқылы T jmax

360

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

893

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

650

V

IF

Диоданың үздіксіз алға ағымдағы @ T C=25o C @ Т C=80o C

177

120

A

IFm

Диод Максимум Алға Жүк t p шектеулі арқылы T jmax

360

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +175-ке дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-55-ден +150-ге дейін

o C

T С

Дәнекерлеу температурасы: 1,6 мм үшін 10 секунд

260

o C

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=120A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.40

1.85

V

IC=120A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

1.70

IC=120A,V ГЭ =15В, T ж =175o C

1.75

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=1.92mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.1

5.8

6.5

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

250

uA

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

200

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

/

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

14.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.42

нФ

С G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.86

uC

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I C=120A, R G=7.5Ω,

V ГЭ =±15В, LС =40nH ,T ж =25o C

68

н

t r

Күтерілу уақыты

201

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

166

н

t f

Күз мезгілі

54

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.19

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.56

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I C=120A, R G=7.5Ω,

V ГЭ =±15В, LС =40nH ,T ж =150o C

70

н

t r

Күтерілу уақыты

207

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

186

н

t f

Күз мезгілі

106

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.70

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.89

мЖ

t d (қосулы )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 300В,I C=120A, R G=7.5Ω,

V ГЭ =±15В, LС =40nH ,T ж =175o C

71

н

t r

Күтерілу уақыты

211

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

195

н

t f

Күз мезгілі

139

н

Eқосулы

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

7.80

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

2.98

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =300В, V КЕМ ≤650В

600

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =120A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.65

2.10

V

IF =120A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.60

IF =120A,V ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.60

t рр

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В LС =40nH ,T ж =25o C

184

н

С r

Алынған айыппұл

1.65

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

17.2

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.23

мЖ

t рр

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В LС =40nH ,T ж =150o C

221

н

С r

Алынған айыппұл

3.24

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

23.1

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.53

мЖ

t рр

Диод кері Қалпына келтіру уақыты

V R = 300В,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V ГЭ =-15В LС =40nH ,T ж =175o C

246

н

С r

Алынған айыппұл

3.98

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

26.8

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

0.64

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.168 0.369

К/W

R тЖЖ

Жарық ортасына қосылу

40

К/W