GD400HFX120C2S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц

@ Т Ц =90 o Ц

595

400

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

800

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

1875

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

I Ц = 400А,В ГЭ = 15В, T ж =25 o Ц

1.75

2.20

V

I Ц = 400А,В ГЭ = 15В, T ж =125 o Ц

2.00

I Ц = 400А,В ГЭ = 15В, T ж =150 o Ц

2.05

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц = 10,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған

Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

37.3

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.04

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.80

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2,0Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

205

н

t r

Күтерілу уақыты

77

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

597

н

t f

Күз мезгілі

98

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

18.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

32.3

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2,0Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц

214

н

t r

Күтерілу уақыты

86

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

626

н

t f

Күз мезгілі

137

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

28.4

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

48.9

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =400А, R G =2,0Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц

198

н

t r

Күтерілу уақыты

94

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

646

н

t f

Күз мезгілі

147

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

30.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

53.8

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкс,В ГЭ = 15В,

T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1440

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.75

2.15

V

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц

1.65

I F = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц

1.65

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц

40

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

299

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.0

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o Ц

70

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

399

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.4

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o Ц

80

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

419

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

43.9

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.25

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.080

0.095

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.037

0.044

0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g