GD400HFX120C2S, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=90o C

595

400

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p = 1 мс

800

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1875

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

400

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

800

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 400А,В ГЭ = 15В, T ж =25o C

1.75

2.20

V

IC= 400А,В ГЭ = 15В, T ж =125o C

2.00

IC= 400А,В ГЭ = 15В, T ж =150o C

2.05

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 10,0 мА,В CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

37.3

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.04

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

2.80

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2,0Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

205

н

t r

Күтерілу уақыты

77

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

597

н

t f

Күз мезгілі

98

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

18.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

32.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2,0Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

214

н

t r

Күтерілу уақыты

86

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

626

н

t f

Күз мезгілі

137

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

28.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

48.9

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=400А, R G=2,0Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

198

н

t r

Күтерілу уақыты

94

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

646

н

t f

Күз мезгілі

147

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

30.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

53.8

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ = 15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

1440

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.75

2.15

V

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.65

IF = 400А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.65

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

40

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

299

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

20.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

70

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

399

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =400А,

-di/dt=5000A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C

80

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

419

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

43.9

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі nce, Терминалдан Чипке

0.25

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.080

0.095

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.037

0.044

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g