GD50PIX170C6SA, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

100

50

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

384

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

50

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

100

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

I O

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

50

А

I FSM

Қозғалыс токы V R =0В,Т p =10мс,T ж =45 o Ц

850

А

I 2t

I 2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10м с,T ж =45 o Ц

3610

А 2s

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

100

50

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

А

P D

Максималды қуаттылық ж =175 o Ц

384

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

50

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

100

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o Ц

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =2.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

9.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

6.02

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.47

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =50А, R G =9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

163

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

290

н

t f

Күз мезгілі

347

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

7.28

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =50А, R G =9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

186

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

361

н

t f

Күз мезгілі

535

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.1

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =50А, R G =9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

192

н

t r

Күтерілу уақыты

52

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

374

н

t f

Күз мезгілі

566

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.0

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц

1.95

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =150 o Ц

1.90

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц

11.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

48

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.08

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =125 o Ц

20.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

52

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.4

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =150 o Ц

23.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

54

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.1

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =50А, V ГЭ =0В, T ж =150 o Ц

1.14

V

I R

Кері ток

T ж =150 o C,V R =1600V

3.0

mА

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц

2.25

I Ц =50A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =2.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

9.5

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

6.02

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.47

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =50А, R G =9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц

163

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

290

н

t f

Күз мезгілі

347

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.7

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

7.28

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =50А, R G =9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц

186

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

361

н

t f

Күз мезгілі

535

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.9

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.1

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =50А, R G =9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц

192

н

t r

Күтерілу уақыты

52

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

374

н

t f

Күз мезгілі

566

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.0

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150 o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

200

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц

1.80

2.25

V

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц

1.95

I F =50A,V ГЭ =0В,Т ж =150 o Ц

1.90

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25 o Ц

11.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

48

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.08

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =125 o Ц

20.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

52

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.4

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =150 o Ц

23.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

54

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.1

мЖ

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

60

nH

R CC+EE R АА + CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 2.00

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT -инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік) Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT -тежегіш )

Жалын-қорытынды (әр Диод-б ағайын)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

К/W

R тХ

Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT -инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Іс -дәйексіз -Жылу сорғышы (perIGBT -тежегіш )

Корпус-к охлаждающей пластине (на Дио де-тормоз) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

К/W

М

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g