GD50PIX170C6SA, IGBT Модуль, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

384

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

50

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

100

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

IO

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

50

A

IFSM

Қозғалыс токы V R =0В,Т p =10мс,T ж =45o C

850

A

I2t

I2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10м с,T ж =45o C

3610

A2сек

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

100

50

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

100

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

384

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

50

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

100

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=2.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ

9.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

6.02

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.47

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=50А, R G=9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

163

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

290

н

t f

Күз мезгілі

347

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

7.28

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=50А, R G=9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

186

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

361

н

t f

Күз мезгілі

535

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.1

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=50А, R G=9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

192

н

t r

Күтерілу уақыты

52

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

374

н

t f

Күз мезгілі

566

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.0

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.95

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25o C

11.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

48

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.08

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =125o C

20.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

52

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =150o C

23.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

54

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.1

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =50А, V ГЭ =0В, T ж =150o C

1.14

V

IR

Кері ток

T ж =150o C,V R =1600V

3.0

mА

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC=50A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=2.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

9.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

6.02

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.15

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.47

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=50А, R G=9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

163

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

290

н

t f

Күз мезгілі

347

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

7.28

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=50А, R G=9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

186

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

361

н

t f

Күз мезгілі

535

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.1

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=50А, R G=9.6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

192

н

t r

Күтерілу уақыты

52

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

374

н

t f

Күз мезгілі

566

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.0

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В

200

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.95

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =25o C

11.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

48

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.08

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =125o C

20.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

52

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.4

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =50А,

-ди/дt=850A/μs,V ГЭ =-15В T ж =150o C

23.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

54

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.1

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

60

nH

R CC+EE R АА ’+CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 2.00

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік) Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —тежегіш )

Жалын-қорытынды (әр Диод-б ағайын)

0.390 0.554 0.565 0.390 0.554

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —тежегіш )

Корпус-к охлаждающей пластине (на Дио де-тормоз) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g