GD450HFX170C6S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C= 100o C

706

450

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

900

A

PD

Максималды қуаттылық =175o C

2542

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

450

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

900

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.85

2.20

V

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =125o C

2.25

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC= 18.0mA,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.67

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

54.2

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

1.32

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

4.24

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=450А, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

179

н

t r

Күтерілу уақыты

105

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

680

н

t f

Күз мезгілі

375

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

116

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

113

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=450А, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

208

н

t r

Күтерілу уақыты

120

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

784

н

t f

Күз мезгілі

613

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

152

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

171

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=450А, R G=3.3Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

208

н

t r

Күтерілу уақыты

120

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

800

н

t f

Күз мезгілі

720

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

167

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

179

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 1000В, V КЕМ ≤1700В

1800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.80

2.25

V

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.95

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =450А,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

105

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

198

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

69.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =450А,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

187

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

578

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

129

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =450А,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C

209

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

585

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

150

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

δR/R

Ауыспалы туралы R 100

T C= 100 o C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—

1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—

1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2—

1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.059

0.083

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.031

0.043

0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g