GD150HCX170C6SA ,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц

281

150

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

А

P D

Максималды қуаттылық vj =175 o Ц

1136

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

1.85

2.20

V

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

2.25

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц

2.35

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =6.00 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

4.3

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.1

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R G =0.51Ω,V ГЭ =±15В, LS =48 nH ,T vj =25 o Ц

206

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

337

н

t f

Күз мезгілі

331

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

39.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

21.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R G =0.51Ω,V ГЭ =±15В, LS =48 nH ,T vj =125 o Ц

232

н

t r

Күтерілу уақыты

54

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

422

н

t f

Күз мезгілі

514

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

55.3

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.7

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I Ц =150A, R G =0.51Ω,V ГЭ =±15В, LS =48 nH ,T vj =150 o Ц

239

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

442

н

t f

Күз мезгілі

559

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

60.8

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

34.9

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150 o C,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

600

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.80

2.25

V

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.95

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц

1.90

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V ГЭ =-15В LS =48 nH ,T vj =25 o Ц

42.8

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

142

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

22.3

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V ГЭ =-15В LS =48 nH ,T vj =125 o Ц

64.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

147

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

35.0

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V ГЭ =-15В LS =48 nH ,T vj =150 o Ц

72.0

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

148

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.8

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.132 0.209

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.029 0.047 0.009

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g