GD150HCX170C6SA ,IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

281

150

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1136

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t= 1 минут

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=150A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.20

V

IC=150A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=150A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=6.00mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

4.3

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

18.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.41

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V ГЭ =±15В, LS =48nH ,T vj =25o C

206

н

t r

Күтерілу уақыты

44

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

337

н

t f

Күз мезгілі

331

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

39.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

21.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V ГЭ =±15В, LS =48nH ,T vj =125o C

232

н

t r

Күтерілу уақыты

54

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

422

н

t f

Күз мезгілі

514

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

55.3

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=150A, R G=0.51Ω,V ГЭ =±15В, LS =48nH ,T vj =150o C

239

н

t r

Күтерілу уақыты

57

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

442

н

t f

Күз мезгілі

559

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

60.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

34.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =150A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =150A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.95

IF =150A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=2464A/μs,V ГЭ =-15В LS =48nH ,T vj =25o C

42.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

142

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

22.3

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1956A/μs,V ГЭ =-15В LS =48nH ,T vj =125o C

64.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

147

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

35.0

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =150A,

-di/dt=1795A/μs,V ГЭ =-15В LS =48nH ,T vj =150o C

72.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

148

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

38.8

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

1.10

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.132 0.209

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.029 0.047 0.009

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5

3.0 3.0

6.0 6.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

350

g