IGBT модулі, GD1000HTA75P6HT Starpower

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

1000

A

IC

Коллектор токы @ T F =125o C

450

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

2000

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T vj =175o C

1282

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

750

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

1000

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2000

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

d Жүрекке сырғанау

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

9.0 9.0

мм

d Таза

Терминалды жылу сорғысына Терминалдан терминалға

4.5 4.5

мм

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =150o C

1.10

IC= 450А,В ГЭ =15В, T vj =175o C

1.10

IC=1000A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.40

IC=1000A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

1.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.9mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.5

6.4

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.2

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

66.7

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.50

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.35

нФ

QG

Қақпалық төлем

V CE =400V,I C =450А, V ГЭ =-15...+15В

4.74

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

LСек =24nH, T vj =25o C

244

н

t r

Күтерілу уақыты

61

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

557

н

t f

Күз мезгілі

133

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

11.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

22.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

LСек =24nH, T vj =150o C

260

н

t r

Күтерілу уақыты

68

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

636

н

t f

Күз мезгілі

226

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

16.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А,

R Қон =1,2Ω, R Гофф =1,0Ω, V ГЭ =-8V/+15V,

LСек =24nH, T vj =175o C

264

н

t r

Күтерілу уақыты

70

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

673

н

t f

Күз мезгілі

239

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

33.6

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T vj =25o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

4900

A

t P≤3μс, V ГЭ =15В,

T vj =175o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

3800

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.35

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.30

IF =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

IF =1000A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.80

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=7809А/μс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T vj =25o C

18.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

303

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.72

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6940А/μс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T vj =150o C

36.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

376

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.09

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6748А/μс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T vj =175o C

40.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

383

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.01

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40o C

T негізгі тақта 40o C

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.068 0.105

0.078 0.120

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g