GD2400SGX170C4S,IGBT Модуль,Улттық токтың IGBT модулі,STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,sTARPOWER жасады. 1 700V 2400А ,C4 .

Қасиеттер

Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
10 мкм-ге қысқа тұтасу мүмкіндігі
Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
Жоғарғы түйісу температурасы 175oC
Төмен индуктивтілік корпусы
Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
Жоғары қуат циклдік қабілеті үшін AlSiC негізі
Тепден қауіпсіз негізгі AlN substrate cE

Типілік қолданулар

Жоғары қуаттылық конвертерлері
Мотор жетектер

Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1700	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =100 o Ц	2400	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	4800	А
P D	Максималды қуаттылық ж =175 o Ц	13.7	кВт

Диод

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1700	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	2400	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	4800	А
I FSM	Қозғалыс токы V R =0В,Т p =10мс, @T ж =25 o Ц @T ж =150 o Ц	18.65 15.25	kA
I 2t	I 2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10м с,T ж =25 o Ц I 2t-құндылығы,V R =0В,Т p =10 мс ,T ж =150 o Ц	1739 1162	kA 2с

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	o Ц
T жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	4000	V

IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, T ж =25 o Ц		1.85	2.30	V
		I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, T ж =125 o Ц		2.25
		I Ц = 2400А,В ГЭ =15В, T ж =150 o Ц		2.35
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =96.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц			5.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі қайырмақ			0.6		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		285		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В		7.13		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15...+15В		23.5		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =2400А, R G =0,82Ω, L С =32 nH ,V ГЭ =-9В/+15В, T ж =25 o Ц		609		н
t r	Күтерілу уақыты			232		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			1676		н
t f	Күз мезгілі			192		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			784		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			785		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =2400А, R G =0,82Ω, L С =32 nH ,V ГЭ =-9В/+15В, T ж =125 o Ц		732		н
t r	Күтерілу уақыты			280		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			2171		н
t f	Күз мезгілі			243		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			1350		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			1083		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC =900V,I Ц =2400А, R G =0,82Ω, L С =32 nH ,V ГЭ =-9В/+15В, T ж =150 o Ц		772		н
t r	Күтерілу уақыты			298		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			2294		н
t f	Күз мезгілі			298		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			1533		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			1126		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T ж =150 o C,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В		10.5		kA

Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж = 25o Ц		1.80	2.25	V
		I F = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =125 o Ц		1.90
		I F = 2400А,В ГЭ =0В,Т ж =150 o Ц		1.95
Q r	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =2400А, -жүрек/с=9570А/мкс,V ГЭ =-9В, L С =32 nH ,T ж =25 o Ц		243		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			1656		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			274		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =2400А, -жүрек/с=7500А/мкс,V ГЭ =-9В, L С =32 nH ,T ж =125 o Ц		425		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			1692		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			438		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R =900V,I F =2400А, -жүрек/с=6990А/мкс,V ГЭ =-9В, L С =32 nH ,T ж =150 o Ц		534		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			1809		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			563		мЖ

Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		6.0		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		0.10		mΩ
R тЖК	Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)			10.9 20.9	K/kW
R тХ	Кейс -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT )Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)		6.1 11.7 4.0		K/kW
d Жүрекке сырғанау	Терминал-қырғызушыға Терминал-терминал арасында		32.2 32.2		мм
d Таза	Терминал-қырғызушыға Терминал-терминал арасында		19.1 19.1		мм
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		1500		g