GD600SGU120C2S,IGBT Модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=70o C

830

600

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =150o C

4032

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

600

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1200

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

2.90

3.35

V

IC=600A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

3.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=6.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.0

5.8

6.6

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

0.25

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

39.0

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

2.55

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

6.30

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G= 1. 1Ω,

V ГЭ =±15В, T ж =25o C

205

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

265

н

t f

Күз мезгілі

140

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

50.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

20.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=600А, R G= 1. 1Ω,

V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

210

н

t r

Күтерілу уақыты

55

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

275

н

t f

Күз мезгілі

175

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

66.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

28.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,

T ж =125o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

3900

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

2.25

2.70

V

IF =600A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

2.35

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-ди/дт= 12kA/μs,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

42.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

492

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.6

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V CC = 600В,I F =600А,

-ди/дт= 12kA/μs,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

80.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

672

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

37.9

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.18

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.031

0.070

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.051

0.114

0.035

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Жабықтыру басымдарының Момент, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g