GD200FFY120C6SF,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C

@ Т C=85o C

294

200

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

A

PD

Максималды қуаттылық =175o C

1056

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын ең жоғары кері кернеу

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу

200

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы Диапазон

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке

Қанығу кернеуі

IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.90

2.35

V

IC=200A,V ГЭ =15В, T ж = 125o C

2.40

IC=200A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.55

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=5.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.2

6.0

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған

Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В,

T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

100

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.75

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц,

V ГЭ =0В

20.7

нФ

Cре

Кері ауыстыру

Қуаттылық

0.58

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =- 15...+15В

1.55

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=0.75Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

374

н

t r

Күтерілу уақыты

50

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

326

н

t f

Күз мезгілі

204

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

13.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

10.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=0.75Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o C

419

н

t r

Күтерілу уақыты

63

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

383

н

t f

Күз мезгілі

218

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

20.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.9

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=0.75Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o C

419

н

t r

Күтерілу уақыты

65

н

t d (ашылған )

Бұғаттау Кешіру уақыты

388

н

t f

Күз мезгілі

222

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу

Жоғалту

22.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру

Жоғалту

11.9

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод

Кернеу

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.90

2.35

V

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o C

1.90

IF =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25o C

10.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

90

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.40

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 125o C

26.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

132

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.75

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =200A,

-di/dt=3200A/μs,V ГЭ =- 15В T ж = 150o C

30.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

142

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.3

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.25

mΩ

R тЖК

Қатысу (IGB бойынша) Т)

Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.142

0.202

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)

Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)

Корпус-радиатор (per M одуль)

0.034

0.048

0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5

3.0

5.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g