GD150HFU120C2SD,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=85o C

241

150

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

A

PD

Максималды қуаттылық vj =150o C

1262

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=150A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

2.90

3.35

V

IC=150A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

3.60

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=3.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.0

6.1

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.50

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц, V ГЭ =0В

19.2

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.60

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.83

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=150A, R G=6.8Ω,Ls=48нГн, V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

74

н

t r

Күтерілу уақыты

92

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

401

н

t f

Күз мезгілі

31

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.09

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=150A, R G=6.8Ω, Ls=48нГн, V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

61

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

444

н

t f

Күз мезгілі

47

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.99

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =125o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

975

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =150A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =150A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=1480А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =48nH ,T vj =25o C

13.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

91

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.01

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=1560А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =48nH ,T vj =125o C

22.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

111

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.65

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.099 0.259

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.028 0.072 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g