GD150HFU120C2SD,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

I Ц

Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц @ Т Ц =85 o Ц

241

150

А

I CM

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

А

P D

Максималды қуаттылық vj =150 o Ц

1262

W

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

I F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

А

I Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

А

Символ

Сипаттама

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

150

o Ц

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o Ц

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц

2.90

3.35

V

I Ц =150A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц

3.60

V ГЭ (th )

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

I Ц =3.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц

5.0

6.1

7.0

V

I CES

Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк

V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц

5.0

mА

I ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.50

ω

Ц лар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =30В,f=1МГц, V ГЭ =0В

19.2

нФ

Ц ре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.60

нФ

Q G

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.83

μC

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R G =6.8Ω,Ls=48нГн, V ГЭ =±15В,Т vj =25 o Ц

74

н

t r

Күтерілу уақыты

92

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

401

н

t f

Күз мезгілі

31

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

19.0

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.09

мЖ

t d (қОСУЛЫ )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I Ц =150A, R G =6.8Ω, Ls=48нГн, V ГЭ =±15В,Т vj =125 o Ц

61

н

t r

Күтерілу уақыты

95

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

444

н

t f

Күз мезгілі

47

н

E қОСУЛЫ

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.5

мЖ

E ашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

3.99

мЖ

I SC

SC деректері

t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =125 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

975

А

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц

1.85

2.30

V

I F =150A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц

1.90

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=1480А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =48 nH ,T vj =25 o Ц

13.7

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

91

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.01

мЖ

Q r

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=1560А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =48 nH ,T vj =125 o Ц

22.1

μC

I RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

111

А

E рек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.65

мЖ

Символ

Параметр

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

L CE

Айналадағы индуктивтілік

30

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш -дәйексіз -Іс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

0.099 0.259

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.028 0.072 0.010

К/W

М

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g