GD720HTA120P6HT,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

720

A

IC

Коллектор токы @ T F =65o C

600

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1440

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T vj =175o C

1204

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

1200

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

720

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

600

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1440

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

10 секунд ішінде 30 секунд, пайда болуы өмір бойы максимум 3000 рет мен

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

3000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.50

V

IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

1.80

IC=600A,V ГЭ =15В, T vj =175o C

1.85

IC=720А,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.60

IC=720А,V ГЭ =15В, T vj =175o C

2.05

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=15.6mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

6.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.67

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

48.7

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.55

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.26

нФ

QG

Қақпалық төлем

V CE =800В,I C =600А, V ГЭ =-8...+15В

3.52

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =800В,I C=600А,

R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, LСек =24нГн,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =25o C

208

н

t r

Күтерілу уақыты

65

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

505

н

t f

Күз мезгілі

104

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

77.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

62.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =800В,I C=600А,

R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, LСек =24нГн,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =150o C

225

н

t r

Күтерілу уақыты

75

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

567

н

t f

Күз мезгілі

191

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

110

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

83.4

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =800В,I C=600А,

R Қон =3.0Ω, R Гофф =1,0Ω, LСек =24нГн,

V ГЭ =-8V/+15V, T vj =175o C

226

н

t r

Күтерілу уақыты

77

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

583

н

t f

Күз мезгілі

203

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

118

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

85.9

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤4мс, V ГЭ =15В,

T vj =175o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

2600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.95

V

IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

IF =600A,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

1.90

IF =720А,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

2.05

IF =720А,V ГЭ =0В,Т vj =175o C

2.05

Qr

Алынған айыппұл

V R =800В,I F =600А,

-ди/дт=8281А/мс, L Сек =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =25o C

44.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

346

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =800В,I F =600А,

-ди/дт=6954А/мкс, L Сек =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =150o C

73.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

385

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

27.8

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =800В,I F =600А,

-ди/дт=6679А/мкс, L Сек =24n H, V ГЭ =-8V, T vj =175o C

80.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

392

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

30.7

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.75

mΩ

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40o C

T негізгі тақта 40o C

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Жылу және охлаждыру сұйқасының арасындагы (пер Ди од) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.072 0.104

0.083 0.120

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g