GD275MJS120L6S,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Жүзеге асқан Коллектор C ток

275

A

IC

Коллектор токы @ T C=100o C

110

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

450

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IБФ

Жүзеге асқан Алдыңғы Ток нент

275

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IБФ

Жүзеге асқан Алдыңғы Ток нент

275

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

225

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IБФ

Жүзеге асқан Алдыңғы Ток нент

275

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

450

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

3200

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=225A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

2.00

2.45

V

IC=225A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

2.70

IC=225A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.90

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=9.00mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.7

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

38.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.66

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

2.52

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=225A, R G=2Ω,V ГЭ =-8/+15V, LСек =36nH ,T ж =25o C

154

н

t r

Күтерілу уақыты

45

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

340

н

t f

Күз мезгілі

76

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

8.08

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=225A, R G=2Ω,V ГЭ =-8/+15V, LСек =36nH ,T ж =125o C

160

н

t r

Күтерілу уақыты

49

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

388

н

t f

Күз мезгілі

112

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

17.6

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

11.2

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=225A, R G=2Ω,V ГЭ =-8/+15V, LСек =36nH ,T ж =150o C

163

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

397

н

t f

Күз мезгілі

114

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

18.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.0

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.60

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.60

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=5350А/мкс,V ГЭ =-8В LСек =36nH ,T ж =25o C

20.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

6.84

мЖ

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=5080А/мкс,V ГЭ =-8В LСек =36nH ,T ж =125o C

32.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

277

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.5

мЖ

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =225A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-8В LСек =36nH ,T ж =150o C

39.0

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

288

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

14.0

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =225A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.60

2.05

V

IF =225A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.60

IF =225A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.60

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.60

2.05

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.60

IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.60

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=5050А/мкс,V ГЭ =-8В LСек =30nH ,T ж =25o C

18.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

189

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.62

мЖ

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=4720А/μс,V ГЭ =-8В LСек =30nH ,T ж =125o C

34.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

250

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

11.4

мЖ

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =225A,

-ди/дт=4720А/μс,V ГЭ =-8В LСек =30nH ,T ж =150o C

38.9

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

265

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

13.2

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Энергия дыбысы

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2—1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2—1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

15

nH

R тЖК

Жалама-қорытынды (T1 бойынша -T4 IGBT) Жалама-қорытынды (D1/D4 D бойынша йод) Жалама-қорытынды (D2/D3 D бойынша йод) Жалама-қорытынды (D5/D6 D бойынша йод)

0.070 0.122 0.156 0.122

К/W

R тХ

Қорытынды-Жылық қабырғасына (T бойынша 1-T4 IGBT) Қорытынды-Жылық қабырғасына (D1/D4 бойынша Диод) Қорытынды-Жылық қабырғасына (D2/D3 бойынша Диод) Қорытынды-Жылық қабырғасына (D5/D6 бойынша Диод)

0.043 0.053 0.069 0.053

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

250

g