IGBT модуль, 1200В 300А, Упаковка: C6.1
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат .1200V 300А.
Қасиеттері
Төмен V (Солтүстік Қазақстан) Траншея IGB T технологиясы
10 мкм қысқа тұйық қабілеттілігі
V CE (тұрып ) -мен оң температура коеффициент
Максимум байланыс температурасы 175o C
Төмен индуктивтілік корпусы
Жылдам & жұмсақ кері қалпына келтіру анти-параллель FWD
Изоляция медного основания плата с использованием технологии DBC
Типілік қолданулар
Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ серво жетек күшейткіш тұңғыш
Тоқтатылмас қуат беру
Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25o C егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
IC |
Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C |
496 300 |
A |
IСм |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
600 |
A |
PD |
Максималды қуаттылық ж =175o C |
1685 |
W |
Диод
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1200 |
V |
IF |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
300 |
A |
IFm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
600 |
A |
Модуль
Символ |
СИПАТТАМА |
Мәні |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o C |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o C |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o C |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =25o C |
|
1.70 |
2.15 |
V |
IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =125o C |
|
1.95 |
|
|||
IC=300A,V ГЭ =15В, T ж =150o C |
|
2.00 |
|
|||
V ГЭ (th) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
IC=12.0mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
ICES |
Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк |
V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C |
|
|
1.0 |
mА |
IГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
2.5 |
|
ω |
Cлар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В |
|
31.1 |
|
нФ |
Cре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
0.87 |
|
нФ |
|
QG |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15 ...+15В |
|
2.33 |
|
μC |
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C |
|
313 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
57 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
464 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
206 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
9.97 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
28.6 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C |
|
336 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
66 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
528 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
299 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
21.1 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
36.6 |
|
мЖ |
|
t d (қосылған ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I C=300A, R G=1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C |
|
345 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
68 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
539 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
309 |
|
н |
|
Eқосылған |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
25.6 |
|
мЖ |
|
Eашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
37.8 |
|
мЖ |
|
|
ISC |
SC деректері |
t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В |
|
1200 |
|
A |
Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Блоктар |
|
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C |
|
1.85 |
2.30 |
V |
IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C |
|
1.90 |
|
|||
IF =300A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C |
|
1.95 |
|
|||
Qr |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =300A, -di⁄dt=6950A⁄μs,V ГЭ =-15V, T ж =25o C |
|
10.8 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
272 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
9.53 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =300A, -di⁄dt=6090A⁄μs,V ГЭ =-15V, T ж =125o C |
|
24.2 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
276 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
18.4 |
|
мЖ |
|
Qr |
Алынған айыппұл |
V CC = 600В,I F =300A, -di⁄dt=5440A⁄μs,V ГЭ =-15V, T ж =150o C |
|
33.6 |
|
μC |
IRM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
278 |
|
A |
|
Eрек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
20.6 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
∆R/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T C=100 o Cр 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P25 |
Күш Диссипация |
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))] |
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген
Символ |
Параметрлер |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
LCE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
1.10 |
|
mΩ |
R тЖК |
Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод) |
|
|
0.089 0.150 |
К/W |
|
R тХ |
Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT ) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль) |
|
0.029 0.048 0.009 |
|
К/W |
Мин |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5 |
3.0 3.0 |
|
6.0 6.0 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
350 |
|
g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.
EN
