GD300HFX120C6SA, IGBT модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 300А.

Қасиеттер

Төмен V (Солтүстік Қазақстан) Траншея IGB T технологиясы

10 мкм қысқа тұйық қабілеттілігі

V CE (тұрып ) с оң температура коеффициент

Максимум байланыс температурасы 175o Ц

Төмен индуктивтілік корпусы

Жылдам & жұмсақ кері қалпына келтіру анти-параллель FWD

Изоляция медного основания плата с использованием технологии DBC

Типілік қолданулар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор

АЖ және ТЖ серво көлік жүргізу күшейткіш тұңғыш

Тоқтатылмас қуат беру

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц	496 300	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	600	А
P D	Максималды қуаттылық ж =175 o Ц	1685	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	300	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	600	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T jmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	o Ц
T жіп	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	2500	V

IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц		1.70	2.15	V
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц		1.95
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц		2.00
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =12.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25 o Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			2.5		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		31.1		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.87		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15 ...+15В		2.33		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц		313		н
t r	Күтерілу уақыты			57		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			464		н
t f	Күз мезгілі			206		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			9.97		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			28.6		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125 o Ц		336		н
t r	Күтерілу уақыты			66		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			528		н
t f	Күз мезгілі			299		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			21.1		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			36.6		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.5Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150 o Ц		345		н
t r	Күтерілу уақыты			68		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			539		н
t f	Күз мезгілі			309		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			25.6		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			37.8		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В		1200		А

Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц		1.85	2.30	V
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 25o Ц		1.90
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т ж = 1 50o Ц		1.95
Q r	Алынған айыппұл	V CC = 600В,I F =300A, -di⁄dt=6950A⁄μs,V ГЭ =-15V, T ж =25 o Ц		10.8		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			272		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			9.53		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V CC = 600В,I F =300A, -di⁄dt=6090A⁄μs,V ГЭ =-15V, T ж =125 o Ц		24.2		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			276		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			18.4		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V CC = 600В,I F =300A, -di⁄dt=5440A⁄μs,V ГЭ =-15V, T ж =150 o Ц		33.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			278		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			20.6		мЖ

НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
R 25	Атаулы кедергі			5.0		kΩ
∆R/R	Ауыспалы туралы R 100	T Ц =100 o Ц р 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Күш Диссипация				20.0	мW
Б 25/50	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3375		К
Б 25/80	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3411		К
Б 25/100	B-құндылығы	R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2- 1 / 298.15K))]		3433		К

Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік		20		nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке		1.10		mΩ
R тЖК	Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.089 0.150	К/W
R тХ	Кейс -дейін -Жылу сорғышы (perIGBT ) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Diode) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)		0.029 0.048 0.009		К/W
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, Болт M5	3.0 3.0		6.0 6.0	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		350		g