GD300HFX120C2SA, IGBT модуль, STARPOWER

Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат . 1200V 300А.

Қасиеттер

Төмен V (Солтүстік Қазақстан) Траншея IGB T технологиясы
10 мкм қысқа тұйық қабілеттілігі
V CE (тұрып ) с оң температура коеффициент
Максимум байланыс температурасы 175o Ц
Төмен индуктивтілік корпусы
Жылдам & жұмсақ кері қалпына келтіру анти-параллель FWD
Изоляторлы мыс негізі dBC технологиясын пайдалана отырып

Типілік қолданулар

Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25 o Ц егер каланын белгіленген

IGBT

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V CES	Жинағыш-эмиттер кернеуі	1200	V
V ГЭС	Қақпа-эмиттер кернеуі	±20	V
I Ц	Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц	477 300	А
I CM	Импульсны коллектор токы t p =1 мс	600	А
P D	Максималды қуаттылық vj =175 o Ц	1578	W

Диод

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
V РРМ	Қайталау Пик Кері Кернеу жас	1200	V
I F	Диодты үздіксіз алға қарай рент	300	А
I Fm	Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс	600	А

Модуль

Символ	Сипаттама	Мәні	Бірлік
T vjmax	Жоғарғы түйісу температурасы	175	o Ц
T vjop	Жұмыс қиылысының температурасы	-40-дан +150-ге дейін	o Ц
T ЖТГ	Сақтау температурасы	-40-дан +125-ге дейін	o Ц
V ISO	Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин	2500	V

IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
V (Солтүстік Қазақстан)	Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі	I Ц =300A,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц		1.70	2.15	V
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц		1.95
		I Ц =300A,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц		2.00
V ГЭ (th )	Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу	I Ц =12.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк	V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц			1.0	mА
I ГЭС	Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк	V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц			400	nA
R Гинт	Ішкі қақпаның кедергісі лық			1.0		ω
Ц лар	Кіріс сыйымдылығы	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		31.1		нФ
Ц ре	Кері ауыстыру Қуаттылық	V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В		0.87		нФ
Q G	Қақпалық төлем	V ГЭ =-15 ...+15В		2.33		μC
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25 o Ц		181		н
t r	Күтерілу уақыты			39		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			305		н
t f	Күз мезгілі			199		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			22.7		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			21.0		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125 o Ц		191		н
t r	Күтерілу уақыты			45		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			357		н
t f	Күз мезгілі			313		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			39.8		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			30.7		мЖ
t d (қОСУЛЫ )	Қалпына келтіру кешіктіру уақыты	V CC = 600В,I Ц =300A, R G =1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =150 o Ц		193		н
t r	Күтерілу уақыты			47		н
t d(оң)	Бұғаттау Кешіру уақыты			368		н
t f	Күз мезгілі			336		н
E қОСУЛЫ	Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту			44.2		мЖ
E ашылған	Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту			32.3		мЖ
I SC	SC деректері	t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T vj =150 o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В		1200		А

Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Сынақ шарттары	Мин.	Тип.	Макс.	Блоктар
V F	Алға қарай диод Кернеу	I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =2 5o Ц		1.85	2.30	V
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц		1.90
		I F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц		1.95
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =300A, -ди/дt=7400А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =25 o Ц		59.7		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			397		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			24.9		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =300A, -ди/дt=6300А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =125 o Ц		91.8		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			383		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			36.5		мЖ
Q r	Алынған айыппұл	V R = 600В,I F =300A, -ди/дt=6100А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =150 o Ц		99.6		μC
I RM	Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы			380		А
E рек	Қайта қалпына келтіру Энергия			39.1		мЖ

Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген

Символ	Параметр	Мин.	Тип.	Макс.	Бірлік
L CE	Айналадағы индуктивтілік			20	nH
R CC+EE	Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке		0.35		mΩ
R тЖК	Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)			0.095 0.163	К/W
R тХ	Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)		0.032 0.054 0.010		К/W
М	Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы	2.5 3.0		5.0 5.0	Н.М
G	Салмақ туралы Модуль		300		g