Барлық санаттар
Сотып алу үшін сұраныс беру

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

IGBT Модулі 1200V

IGBT Модулі 1200V

Басты бет/Өнімдер/IGBT модуль/Модуль IGBT 1200V

GD300HFX120C2SA, IGBT Модульі, STARPOWER

IGBT Модуль, 1200В 300А, Упаковка:C2

Brand:
Жұлдызды қуат
Spu:
GD300HFX120C2SA
  • Кіріспе
  • Нысан
  • Эквивалентті схемалық схема
Кіріспе

Қысқаша кіріспе

IGBT модулі ,шығарылған Жұлдызды қуат .1200V 300А.

Қасиеттері

  • Төмен V (Солтүстік Қазақстан) Траншея IGB T технологиясы
  • 10 мкм қысқа тұйық қабілеттілігі
  • V CE (тұрып ) -мен оң температура коеффициент
  • Максимум байланыс температурасы 175o C
  • Төмен индуктивтілік корпусы
  • Жылдам & жұмсақ кері қалпына келтіру анти-параллель FWD
  • Изоляторлы мыс негізі dBC технологиясын пайдалана отырып

Типілік қолданулар

  • Моторлы қозғалтқыштар үшін инвертор
  • АЖ және ТЖ сервоқозғалтқышы күшейтуші
  • Бөлінбейтін қуат көзі

Абсолютті Максимум Рейтингтер T F =25o C егер каланын белгіленген

IGBT

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

477

300

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1578

W

Диод

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

A

Модуль

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

IGBT Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.70

2.15

V

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

1.95

IC=300A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.0,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

31.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.87

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

2.33

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

181

н

t r

Күтерілу уақыты

39

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

305

н

t f

Күз мезгілі

199

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

22.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

21.0

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

191

н

t r

Күтерілу уақыты

45

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

357

н

t f

Күз мезгілі

313

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

39.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

30.7

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R G=1.3Ω, Ls=43нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =150o C

193

н

t r

Күтерілу уақыты

47

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

368

н

t f

Күз мезгілі

336

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

44.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

32.3

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1200

A

Диод Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=7400А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =25o C

59.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

397

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

24.9

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=6300А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =125o C

91.8

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

383

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

36.5

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=6100А/мкс, Ls=43нГ, V ГЭ =-15В,T vj =150o C

99.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

380

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

39.1

мЖ

Модуль Характеристикалар T C=25o C егер каланын белгіленген

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

R тЖК

Бөлшеуіш дейін Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.095 0.163

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.032 0.054 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g

Нысан

image(c3756b8d25).png

Эквивалентті схемалық схема

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

Байланысты өнім

Тауарлар туралы сұрақтар бар ма?

Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.

Сотып алу үшін сұраныс беру

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000

Tegılsız teklip alu

Bızanıń өкілі sizge jaqın aǵymda qabıldaıdy.
Электрондық пошта
Аты-жөні
Компания атауы
Хабарлама
0/1000