1700В 1200А, A3
Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,sTARPOWER жасады. 1 700V 1200А ,A3 .
Қасиеттер
Типілік қолданулар
Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1700 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 o C @ T Ц =100 o Ц |
1965 1200 |
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
2400 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық vj =175 o Ц |
6.55 |
кВт |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталау Пик Кері Кернеу жас |
1700 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға қарай рент |
1200 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
2400 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәні |
Бірлік |
T vjmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
T vjop |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин |
4000 |
V |
IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
V (Солтүстік Қазақстан) |
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі |
I Ц =1200А,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц |
|
1.85 |
2.30 |
V |
I Ц =1200А,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц |
|
2.25 |
|
|||
I Ц =1200А,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц |
|
2.35 |
|
|||
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =48.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц |
|
|
5.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
1.6 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
142 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
3.57 |
|
нФ |
|
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15 ...+15В |
|
11.8 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V, L С =110нГ,T vj =25 o Ц |
|
700 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
420 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
1620 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
231 |
|
н |
|
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
616 |
|
мЖ |
|
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
419 |
|
мЖ |
|
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V, L С =110нГ,T vj =125 o Ц |
|
869 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
495 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
1976 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
298 |
|
н |
|
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
898 |
|
мЖ |
|
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
530 |
|
мЖ |
|
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V, L С =110нГ,T vj =150 o Ц |
|
941 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
508 |
|
н |
|
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
2128 |
|
н |
|
t f |
Күз мезгілі |
|
321 |
|
н |
|
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
981 |
|
мЖ |
|
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
557 |
|
мЖ |
|
I SC |
SC деректері |
t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц ,V CC =1000V, V КЕМ ≤1700В |
|
4800 |
|
А |
Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
V F |
Алға қарай диод Кернеу |
I F =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =25 o Ц |
|
1.80 |
2.25 |
V |
I F =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =125 o Ц |
|
1.90 |
|
|||
I F =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =150 o Ц |
|
1.95 |
|
|||
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =900V,I F =1200A, -ди/дt=2430А/мкс,V ГЭ =-10V, L С =110нГ,T vj =25 o Ц |
|
217 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
490 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
108 |
|
мЖ |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =900V,I F =1200A, -ди/дt=2070А/мкс,V ГЭ =-10V, L С =110нГ,T vj =125 o Ц |
|
359 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
550 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
165 |
|
мЖ |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R =900V,I F =1200A, -ди/дт=1970А/μс,V ГЭ =-10V, L С =110нГ,T vj =150 o Ц |
|
423 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері Қайта қалпына келтіру тогы |
|
570 |
|
А |
|
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
200 |
|
мЖ |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
20 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке |
|
0.37 |
|
mΩ |
R тЖК |
Бөлшеуіш -дейін -Кейс (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од) |
|
|
22.9 44.2 |
K/kW |
R тХ |
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль) |
|
18.2 35.2 6.0 |
|
K/kW |
М |
Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы |
1.8 8.0 4.25 |
|
2.1 10 5.75 |
Н.М |
G |
Салмақ туралы Модуль |
|
1500 |
|
g |
Біздің кәсіби сату тобыңыз сіздің консультацияңызды күтіп тұр.
Сіз олардың өнім тізімін бақылап, сізді қызықтыратын кез келген сұрақтарды қоюға болады.