GD1200HFX170C3S,IGBT Модуль,Улттық токтың IGBT модулі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1700

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

1965

1200

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

2400

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

6.55

кВт

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1700

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

1200

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

2400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

4000

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=1200А,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=1200А,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=1200А,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=48.0mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

5.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

1.6

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В

142

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

3.57

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

11.8

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,

LСек =110нГ,T vj =25o C

700

н

t r

Күтерілу уақыты

420

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1620

н

t f

Күз мезгілі

231

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

616

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

419

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,

LСек =110нГ,T vj =125o C

869

н

t r

Күтерілу уақыты

495

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

1976

н

t f

Күз мезгілі

298

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

898

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

530

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =900V,I C=1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,

LСек =110нГ,T vj =150o C

941

н

t r

Күтерілу уақыты

508

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

2128

н

t f

Күз мезгілі

321

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

981

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

557

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =1000V,

V КЕМ ≤1700В

4800

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.80

2.25

V

IF =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =1200А,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =1200A,

-ди/дt=2430А/мкс,V ГЭ =-10V, LСек =110нГ,T vj =25o C

217

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

490

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

108

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =1200A,

-ди/дt=2070А/мкс,V ГЭ =-10V, LСек =110нГ,T vj =125o C

359

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

550

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

165

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =900V,I F =1200A,

-ди/дт=1970А/μс,V ГЭ =-10V, LСек =110нГ,T vj =150o C

423

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

570

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

200

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, Терминалдан чипке

0.37

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Джункция-дан-Кейс (әр Di од)

22.9 44.2

K/kW

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

18.2 35.2 6.0

K/kW

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М4 бұрандасы Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М8 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

1500

g