Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі
|
I Ц =1200А,V ГЭ =15В, T vj =25 o Ц |
|
1.85 |
2.30 |
V
|
I Ц =1200А,V ГЭ =15В, T vj =125 o Ц |
|
2.25 |
|
I Ц =1200А,V ГЭ =15В, T vj =150 o Ц |
|
2.35 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =48.0 mА ,V CE = V ГЭ , T vj =25 o Ц |
5.6 |
6.2 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған Жүк |
V CE = V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25 o Ц |
|
|
5.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
1.6 |
|
ω |
Ц лар |
Кіріс сыйымдылығы |
V CE =25V,f=100kHz, V ГЭ =0В |
|
142 |
|
нФ |
Ц ре |
Кері ауыстыру Қуаттылық |
|
3.57 |
|
нФ |
Q G |
Қақпалық төлем |
V ГЭ =-15 ...+15В |
|
11.8 |
|
μC |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,
L S =110нГ,T vj =25 o Ц
|
|
700 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
420 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
1620 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
231 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
616 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
419 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,
L S =110нГ,T vj =125 o Ц
|
|
869 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
495 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
1976 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
298 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
898 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
530 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC =900V,I Ц =1200A, R Қон =1.5Ω, R Гофф =3,3Ω, V ГЭ =-10/+15V,
L S =110нГ,T vj =150 o Ц
|
|
941 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
508 |
|
н |
t d(оң) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
2128 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
321 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту |
|
981 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту |
|
557 |
|
мЖ |
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,
T vj =150 o Ц ,V CC =1000V,
V КЕМ ≤1700В
|
|
4800
|
|
А
|