IGBT модулі GD820HTA75P6HT Starpower

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

750

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

ICN

Коллекторды іске асыру рент

820

A

IC

Коллектор токы @ T F =100o C

450

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

1640

A

PD

Максималды қуат тарату ация @ T F =75o C T ж =175o C

847

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталанатын шың кері кернеу гЭ

750

V

IБФ

Коллекторды іске асыру рент

820

A

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

450

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

1640

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T жіп

Жұмыс қиылысы температурасы үздіксіз

Жалғастық уақыт ішінде 10 секунд үшін 30 секунд, кез келген жағдайда әрбір өмірбаянда ең көп 3000 рет

-40-дан +150-ге дейін +150-ден +175 дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 мИН

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =25o C

1.10

1.35

V

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =150o C

1.15

IC= 450А,В ГЭ =15В, T ж =175o C

1.15

IC=820A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.30

IC=820A,V ГЭ =15В, T ж =175o C

1.50

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=12.9mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.5

6.5

7.0

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпа кедергісі

1.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =50V,f=100kHz, V ГЭ =0В

72.3

нФ

Cлық

Шығарылымдық сыйымдылық

1.51

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.32

нФ

QG

Қақпалық төлем

V CE =400V,I C =450А, V ГЭ =-15...+15В

4.77

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, LСек =24нГн,

T ж =25o C

315

н

t r

Күтерілу уақыты

61

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

729

н

t f

Күз мезгілі

70

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

12.4

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

18.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, LСек =24нГн,

T ж =150o C

338

н

t r

Күтерілу уақыты

74

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

826

н

t f

Күз мезгілі

151

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.7

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

25.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC =400V,I C=450А, R G=2,4Ω,

V ГЭ =-8V/+15V, LСек =24нГн,

T ж =175o C

343

н

t r

Күтерілу уақыты

77

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

846

н

t f

Күз мезгілі

171

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

25.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

27.3

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤6μс, V ГЭ =15В,

T ж =25o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

4500

A

t P≤3μс, V ГЭ =15В,

T ж =175o C,V CC =400В, V КЕМ ≤750В

3300

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.40

1.65

V

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.35

IF = 450А,В ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.30

IF =820A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.70

IF =820A,V ГЭ =0В,Т ж =175o C

1.65

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=7760А/μс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T ж =25o C

10.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

287

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

4.83

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=6300А/μс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T ж =150o C

25.6

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

341

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.32

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R =400V,I F =450А,

-ди/дt=5990А/μс,V ГЭ =-8В LСек =24nH ,T ж =175o C

30.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

354

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

10.6

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

8

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.75

mΩ

p

Тоңазытудағы ең жоғары қысым қайырма

T негізгі тақта <40o C

T негізгі тақта 40o C

(относительное басық)

2.5 2.0

бар

R тЖЖ

Бөлшеуіш —дейін —Салқындату Сұйық (perIGBT )Түйіннен-салқындату сұйықтығына (D бойынша йод) △V/ △t=10,0 dm 3/мИН ,T F =75o C

0.103 0.169

0.118 0.194

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, Болт M5 Монументтік момент, М4 бұрандасы

3.6 1.8

4.4 2.2

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

750

g