GD150PIY120C6SN,IGBT Модульі,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

292

150

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

300

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

1111

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

150

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

300

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1600

V

IO

Орташа шығыс күрделі 5 0Hz/60Hz, синусоидалды тартыс

150

A

IFSM

Алға серпін беретін ток t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

1600

1400

A

I2t

I2t-мәні,t p =10мс @ T ж =25o C @ Т ж =150o C

13000

9800

A2сек

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

200

100

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

200

A

PD

Максималды қуаттылық ж =175o C

833

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

50

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

100

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T jmax

Максималды жылдамдау температуры (инвертор, тормоз) Максималды жылық температура (прямозаменялік)

175

150

o C

T жіп

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=150A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=6.00mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.0

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

15.5

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.44

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

1.17

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=150A, R G=1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

96

н

t r

Күтерілу уақыты

30

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

255

н

t f

Күз мезгілі

269

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

8.59

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.3

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=150A, R G=1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

117

н

t r

Күтерілу уақыты

37

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

307

н

t f

Күз мезгілі

371

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

13.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

16.8

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=150A, R G=1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

122

н

t r

Күтерілу уақыты

38

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

315

н

t f

Күз мезгілі

425

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

14.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

18.1

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

600

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.85

2.25

V

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =150A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=4750А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =25o C

8.62

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

177

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.68

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=3950А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =125o C

16.7

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

191

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

10.2

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =150A,

-ди/дt=3750А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =150o C

19.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

196

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

12.1

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IC=150A, T ж =150o C

1.00

V

IR

Кері ток

T ж =150o C,V R =1600V

3.0

mА

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =25o C

1.70

2.15

V

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =125o C

1.95

IC=100A,V ГЭ =15В, T ж =150o C

2.00

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=4.00mА ,V CE =V ГЭ , T ж =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T ж =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

7.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

10.4

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.29

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15 ...+15В

0.08

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25o C

170

н

t r

Күтерілу уақыты

32

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

360

н

t f

Күз мезгілі

86

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

5.90

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.05

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =125o C

180

н

t r

Күтерілу уақыты

42

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

470

н

t f

Күз мезгілі

165

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

9.10

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.35

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=100A, R G=1,6Ω,V ГЭ =±15В, T ж =150o C

181

н

t r

Күтерілу уақыты

43

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

480

н

t f

Күз мезгілі

186

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

10.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

10.5

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T ж =150o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В

400

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =25o C

1.85

2.30

V

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =125o C

1.90

IF =50A,V ГЭ =0В,Т ж =150o C

1.95

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =50А,

-ди/дt=1400А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =25o C

6.3

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

62

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

1.67

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =50А,

-ди/дt=1400А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =125o C

10.1

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

69

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

2.94

мЖ

Qr

Алынған айыппұл

V R = 600В,I F =50А,

-ди/дt=1400А/мкс,V ГЭ =-15В T ж =150o C

11.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

72

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

3.63

мЖ

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

R 25

Атаулы кедергі

5.0

kΩ

∆R/R

Ауыспалы туралы R 100

T C=100 o Cр 100= 493,3Ω

-5

5

%

P25

Күш

Диссипация

20.0

мW

Б 25/50

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/501/Т 2— 1 / 298.15K))]

3375

К

Б 25/80

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/801/Т 2— 1 / 298.15K))]

3411

К

Б 25/100

B-құндылығы

R 2=R 25қашықтықтан [B 25/1001/Т 2— 1 / 298.15K))]

3433

К

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

40

nH

R CC+EE R АА ’+CC ’

Модульдің қорғасын кедергісі нц,Терминалге дейін

4.00 3.00

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —инвертор ) Жолақыдан кейінгі (DIODE-инвертор бойынша тер) Жалама-қорығы (әр Діод-реттік) реттік) Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT —тежегіш )

Жалын-қорытынды (әр Диод-б ағайын)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

К/W

R тХ

Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —инвертор )Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-оңтүстік) оңтүстік) Қорығы-Сыйлық қорығы (әр Діод-рет түзетуші) Қорап —дейін —Жылу сорғышы (perIGBT —тежегіш )

Корпус-к охлаждающей пластине (на Дио де-тормоз) Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр Модуль)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

К/W

Мин

Монументтік момент, Шраф:M5

3.0

6.0

Н.М