GD300HFQ120C2SD, IGBT Модульі, STARPOWER

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

Мен C

Коллектор токы @ T C=25o C@ Т C=95o C

452

300

A

Мен См

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

600

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1724

W

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

Мен F

Диодты үздіксіз алға қарай рент

300

A

Мен Fm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

600

A

Символ

СИПАТТАМАСЫ

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

Мен C=300A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

Мен C=300A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

Мен C=300A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

Мен C=7.50mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.2

6.0

6.8

V

Мен CES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

Мен ГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

2.5

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

31.1

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.87

нФ

С Г

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

2.33

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R Г =1.6Ом, Ls=45нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

200

н

t r

Күтерілу уақыты

47

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

245

н

t f

Күз мезгілі

65

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

20.8

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.15

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R Г =1.6Ом, Ls=45нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

206

н

t r

Күтерілу уақыты

49

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

280

н

t f

Күз мезгілі

94

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

29.9

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

12.5

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=300A, R Г =1.6Ом, Ls=45нГ, V ГЭ =±15В,Т vj =150o C

209

н

t r

Күтерілу уақыты

51

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

295

н

t f

Күз мезгілі

105

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

35.1

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

13.6

мЖ

Мен SC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

1200

A

Символ

Параметр

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

Мен F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

Мен F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

Мен F =300A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

С r

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =300A,

-ди/дt=5570А/мкс,V ГЭ =-15V, LS =45nH ,T vj =25o C

28.2

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

287

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.81

мЖ

С r

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V ГЭ =-15V, LS =45nH ,T vj =125o C

44.3

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

295

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

14.3

мЖ

С r

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V ГЭ =-15V, LS =45nH ,T vj =150o C

50.2

μC

Мен RM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

300

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

16.0

мЖ