Қысқаша кіріспе
IGBT модулі ,өнімді STARPOWER қызметкерлігімен жасады. 1200В 200А.
Сипаттамалар
- Төмен VCE (sat) Trench IGBT технологиясы
- Оң температура коэффициентi бар VCE (sat)
- Қалпына келтіруден кететін шығындар аз
-
Максималдық жылдамдау температуры 175 ℃
- Төмен индуктивтілік корпусы
- Жедел және жұмсақ кері қалпына келтіру-бағыттас қарсы FWD
- DBC технологиясын қолданатын оқшауланған мыс негіз пластинасы
Типілік қолданулар
- Бөлінбейтін қуат көзі
- Индуктивті қыздыру
- Дәнекерлеу машинасы
Абсолютті Максимум Рейтингтер T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
IGBT
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V CES |
Жинағыш-эмиттер кернеуі |
1200 |
V |
V ГЭС |
Қақпа-эмиттер кернеуі |
±20 |
V |
I Ц |
Коллектор токы @ T Ц =25 o Ц
@ Т Ц = 100o Ц
|
309
200
|
А |
I CM |
Импульсны коллектор токы t p =1 мс |
400 |
А |
P D |
Максималды қуаттылық =175 o Ц |
1006 |
W |
Диод
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
V РРМ |
Қайталанатын ең жоғары кері кернеу |
1200 |
V |
I F |
Диодты үздіксіз алға бұру жалға алу |
200 |
А |
I Fm |
Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс |
400 |
А |
Модуль
Символ |
Сипаттама |
Мәндер |
Бірлік |
T jmax |
Жоғарғы түйісу температурасы |
175 |
o Ц |
T жіп |
Жұмыс қиылысының температурасы |
-40-дан +150-ге дейін |
o Ц |
T ЖТГ |
Сақтау температурасы Диапазон |
-40-дан +125-ге дейін |
o Ц |
V ISO |
Оқшаулау кернеуі RMS,f=50Hz,t=1 минуты |
2500 |
V |
IGBT Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
|
V (Солтүстік Қазақстан)
|
Жинақтаушыдан эмитентке
Қанығу кернеуі
|
I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =25 o Ц |
|
1.70 |
2.15 |
V
|
I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =125 o Ц |
|
1.95 |
|
I Ц =200A,V ГЭ =15В, T ж =150 o Ц |
|
2.00 |
|
V ГЭ (th ) |
Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу |
I Ц =5.0 mА ,V CE = V ГЭ , T ж =25 o Ц |
5.2 |
6.0 |
6.8 |
V |
I CES |
Жинақтаушы Жібек -Ашылған
Жүк
|
V CE = V CES ,V ГЭ =0В,
T ж =25 o Ц
|
|
|
1.0 |
mА |
I ГЭС |
Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк |
V ГЭ = V ГЭС ,V CE =0В, T ж =25 o Ц |
|
|
400 |
nA |
R Гинт |
Ішкі қақпаның кедергісі лық |
|
|
4.0 |
|
ω |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж =25 o Ц
|
|
150 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
32 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
330 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
93 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
11.2 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
11.3 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 125o Ц
|
|
161 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
37 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
412 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
165 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
19.8 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
17.0 |
|
мЖ |
t d (қОСУЛЫ ) |
Қалпына келтіру кешіктіру уақыты |
V CC = 600В,I Ц =200A, R G = 1. 1Ω,V ГЭ =±15В, T ж = 150o Ц
|
|
161 |
|
н |
t r |
Күтерілу уақыты |
|
43 |
|
н |
t d (ашылған ) |
Бұғаттау Кешіру уақыты |
|
433 |
|
н |
t f |
Күз мезгілі |
|
185 |
|
н |
E қОСУЛЫ |
Қалпына келтіру Ауысу
Жоғалту
|
|
21.9 |
|
мЖ |
E ашылған |
Оқиғаның орнын ауыстыру
Жоғалту
|
|
19.1 |
|
мЖ |
|
I SC
|
SC деректері
|
t P ≤ 10 мкс,В ГЭ =15В,
T ж =150 o C,V CC = 900В, V КЕМ ≤ 1200В
|
|
800
|
|
А
|
Диод Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Блоктар |
|
V F
|
Алға қарай диод
Кернеу
|
I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж =25 o Ц |
|
1.65 |
2.10 |
V
|
I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 125o Ц |
|
1.65 |
|
I F =200A,V ГЭ =0В,Т ж = 150o Ц |
|
1.65 |
|
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =25 o Ц
|
|
17.6 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
228 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
7.7 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =125 o Ц
|
|
31.8 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
238 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
13.8 |
|
мЖ |
Q r |
Алынған айыппұл |
V R = 600В,I F =200A,
-di/dt=5400A/μs,V ГЭ =- 15В T ж =150 o Ц
|
|
36.6 |
|
μC |
I RM |
Төменгі деңгейдің кері
Қайта қалпына келтіру тогы
|
|
247 |
|
А |
E рек |
Қайта қалпына келтіру Энергия |
|
15.2 |
|
мЖ |
НТК Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Сынақ шарттары |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
R 25 |
Атаулы кедергі |
|
|
5.0 |
|
kΩ |
δR/R |
Ауыспалы туралы R 100 |
T Ц = 100 o C,R 100= 493,3Ω |
-5 |
|
5 |
% |
P 25 |
Күш
Диссипация
|
|
|
|
20.0 |
мW |
Б 25/50 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/50 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3375 |
|
К |
Б 25/80 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/80 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3411 |
|
К |
Б 25/100 |
B-құндылығы |
R 2=R 25қашықтықтан [B 25/100 1/Т 2-
1 / 298.15K))]
|
|
3433 |
|
К |
Модуль Характеристикалар T Ц =25 o Ц егер каланын белгіленген
Символ |
Параметр |
Мин. |
Тип. |
Макс. |
Бірлік |
L CE |
Айналадағы индуктивтілік |
|
21 |
|
nH |
R CC+EE |
Модульдің жетек кедергісі е, Терминалдан чипке |
|
1.80 |
|
mΩ |
R тЖК |
Қатысу (IGB бойынша) Т)
Құрамына байланысты (D-ға) йод)
|
|
|
0.149
0.206
|
К/W |
|
R тХ
|
Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT)
Кейс-дан-Жылуалғышқа (p er Diode)
Корпус-радиатор (per M одуль)
|
|
0.031
0.043
0.009
|
|
К/W |
М |
Тіркемелік бұранда:M6 |
3.0 |
|
6.0 |
Н.М |
G |
Салмағы туралы Модуль |
|
300 |
|
g |
EN
