GD200HFQ120C2SD,IGBT Модуль,STARPOWER

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V CES

Жинағыш-эмиттер кернеуі

1200

V

V ГЭС

Қақпа-эмиттер кернеуі

±20

V

IC

Коллектор токы @ T C=25o C @ T C=100o C

324

200

A

IСм

Импульсны коллектор токы t p =1 мс

400

A

PD

Максималды қуаттылық vj =175o C

1181

W

Символ

СИПАТТАМА

Мәндер

Бірлік

V РРМ

Қайталау Пик Кері Кернеу жас

1200

V

IF

Диодты үздіксіз алға қарай рент

200

A

IFm

Діод максималды жауапкерші токы t p =1 мс

400

A

Символ

СИПАТТАМА

Мәні

Бірлік

T vjmax

Жоғарғы түйісу температурасы

175

o C

T vjop

Жұмыс қиылысының температурасы

-40-дан +150-ге дейін

o C

T ЖТГ

Сақтау температурасы

-40-дан +125-ге дейін

o C

V ISO

Изоляция кернеуі RMS,f=50Гц,t =1мин

2500

V

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

V (Солтүстік Қазақстан)

Жинақтаушыдан эмитентке Қанығу кернеуі

IC=200A,V ГЭ =15В, T vj =25o C

1.85

2.30

V

IC=200A,V ГЭ =15В, T vj =125o C

2.25

IC=200A,V ГЭ =15В, T vj =150o C

2.35

V ГЭ (th)

Қақпа-эмиттерінің шекті мөлшері Кернеу

IC=8.00mА ,V CE =V ГЭ , T vj =25o C

5.6

6.2

6.8

V

ICES

Жинақтаушы Жібек —Ашылған Жүк

V CE =V CES ,V ГЭ =0В, T vj =25o C

1.0

mА

IГЭС

Қақпа-эмиттердің сынуы Жүк

V ГЭ =V ГЭС ,V CE =0В, T vj =25o C

400

nA

R Гинт

Ішкі қақпаның кедергісі лық

3.8

ω

Cлар

Кіріс сыйымдылығы

V CE =25В,f=1Мхц, V ГЭ =0В

21.6

нФ

Cре

Кері ауыстыру Қуаттылық

0.59

нФ

QG

Қақпалық төлем

V ГЭ =-15...+15В

1.68

μC

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=4.7Ω, LСек =45nH , V ГЭ =±15В,Т vj =25o C

100

н

t r

Күтерілу уақыты

72

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

303

н

t f

Күз мезгілі

71

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

26.0

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

6.11

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=4.7Ω, LСек =45nH , V ГЭ =±15В,Т vj =125o C

99

н

t r

Күтерілу уақыты

76

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

325

н

t f

Күз мезгілі

130

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

33.5

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

8.58

мЖ

t d (қосылған )

Қалпына келтіру кешіктіру уақыты

V CC = 600В,I C=200A, R G=4.7Ω, LСек =45nH , V ГЭ =±15В,Т vj =150o C

98

н

t r

Күтерілу уақыты

80

н

t d(оң)

Бұғаттау Кешіру уақыты

345

н

t f

Күз мезгілі

121

н

Eқосылған

Қалпына келтіру Ауысу Жоғалту

36.2

мЖ

Eашылған

Оқиғаның орнын ауыстыру Жоғалту

9.05

мЖ

ISC

SC деректері

t P≤ 10 мкм, V ГЭ =15В,

T vj =150o C,V CC =800V, V КЕМ ≤ 1200В

750

A

Символ

Параметрлер

Сынақ шарттары

Мин.

Тип.

Макс.

Блоктар

V F

Алға қарай диод Кернеу

IF =200A,V ГЭ =0В,Т vj =25o C

1.85

2.30

V

IF =200A,V ГЭ =0В,Т vj =125o C

1.90

IF =200A,V ГЭ =0В,Т vj =150o C

1.95

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =200A,

-ди/дt=1890А/мкс,V ГЭ =-15V, LСек =45nH ,T vj =25o C

19.4

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

96

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

5.66

мЖ

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =200A,

-ди/дt=1680А/мкс,V ГЭ =-15V, LСек =45nH ,T vj =125o C

29.5

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

106

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

8.56

мЖ

Qr

Қайта қалпына келтірілген Заряд

V R = 600В,I F =200A,

-ди/дt=1600А/мкс,V ГЭ =-15V, LСек =45nH ,T vj =150o C

32.2

μC

IRM

Төменгі деңгейдің кері

Қайта қалпына келтіру тогы

107

A

Eрек

Қайта қалпына келтіру Энергия

9.24

мЖ

Символ

Параметрлер

Мин.

Тип.

Макс.

Бірлік

LCE

Айналадағы индуктивтілік

20

nH

R CC+EE

Модульдің қорғасын кедергісі, терминалдан чипке

0.35

mΩ

R тЖК

Бөлшеуіш —дейін —Қорап (perIGBT ) Құрамына байланысты (D-ға) йод)

0.127 0.163

К/W

R тХ

Кейс-дан-Жылуалғышқа (әр IGBT) Корпус-радиатор (pe r Диод) Корпус-радиатор (per M одуль)

0.036 0.046 0.010

К/W

Мин

Терминал қосылымның қозғалыс моменті, М6 бұрандасы Монументтік момент, М6 бұрандасы

2.5 3.0

5.0 5.0

Н.М

G

Салмағы туралы Модуль

300

g